二极管
-
-
高可靠 SiC MOSFET 如何从器件选型走到量产落地
栅氧可靠性：高可靠 SiC MOSFET 的第一道关卡 在高可靠 SiC MOSFET 的设计与量产中，栅极氧化膜的可靠性是所有评估维度中最受关注的一项。SiC 材料虽能与氧气反应生成 SiO₂ 介质
-
碳化硅肖特基二极管选型要看哪些参数？耐压、正向压降与开关特性
碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）是基于碳化硅（SiC）材料的单极型功率器件，核心优势是几乎没有反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）、开关损耗极低、工作温度范围宽。在电源拓扑中，SiC SBD常与SiC
-
SiC二极管是什么？与硅基二极管的区别和选型要点
SiC二极管（碳化硅肖特基势垒二极管，SiC SBD）是基于第三代半导体材料碳化硅（SiC）的功率二极管。与传统的硅基快恢复二极管相比，SiC二极管的核心优势在于近乎零的反向恢复电流和较低的正向压降，
-
碳化硅二极管和硅基二极管有什么区别？从反向恢复到选型逻辑
碳化硅二极管（SiC SBD，即碳化硅肖特基势垒二极管）是基于碳化硅材料的功率二极管，属于多数载流子器件。与硅基快恢复二极管相比，碳化硅二极管几乎没有反向恢复电荷，在从导通切换到关断时不会产生显著的反
- 1