碳化硅
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第四代 SiC MOSFET 技术关键升级：降损耗40%、增功率30%，哪些场景率先受益？
碳化硅（SiC）功率器件正在经历从第三代向第四代的关键跨越。作为第三代半导体领域的核心产品，SiC MOSFET 在电动汽车、光伏储能、AI 数据中心和工业电源等场景中扮演着越来越重要的角色。第四代
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SiC MOSFET 替代 CoolMOS 的三大核心收益：效率、功率密度与工程选型要点
在功率半导体领域，英飞凌 CoolMOS 系列长期占据高压 MOSFET 市场的核心地位。但伴随碳化硅（SiC）技术走向成熟，SiC MOSFET 正在越来越多场景中取代传统硅基 CoolMOS，尤其
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车载OBC采用SiC MOSFET，效率提升20%的四个设计要点
随着电动汽车市场的持续扩张，车载充电机（On-Board Charger, OBC）作为连接电网与动力电池的核心部件，其性能直接决定了用户的充电体验和整车能效。近年来，碳化硅（SiC）MOSFET凭借
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9mΩ SiC MOSFET 选型指南：五大应用场景与关键参数对比
在功率半导体领域，导通电阻（RDS(on)）是衡量 MOSFET 性能的核心指标之一。随着碳化硅（SiC）材料技术的持续进步，9mΩ 级别的 1200V SiC MOSFET 正在成为高效率电源转换系
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1700V SiC MOSFET选型实战：五大厂商产品参数对比与四大场景适配方案
为什么1700V SiC MOSFET正在成为功率半导体的必争之地 碳化硅（SiC）MOSFET在功率半导体领域的渗透速度远超预期。当1200V器件在车载充电机和光伏逆变器中站稳脚跟后，17
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车载充电机碳化硅功率器件：650V还是900V/1200V，选型分水岭在哪
引言 新能源汽车的充电体验，很大程度上取决于一颗不起眼却至关重要的部件——车载充电机（On-Board Charger, OBC）。当交流充电桩的电流进入车辆后，OBC负责将其转换为高压直流电，为动力
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Wolfspeed、ROHM、ST 三家混战：1200V SiC MOSFET 从第4代到第5代的技术分水岭
1200V SiC MOSFET 为什么成为功率半导体的主战场 碳化硅（SiC）MOSFET 在过去五年里完成了从"实验室样品"到"量产标配"的跨越。而在所有电压等级中，1200V 是最特殊的那个——
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OBC碳化硅解决方案的工程验证：Lucid Air量产之后，22kW时代还有多远
车载充电机升级路径：碳化硅如何重塑OBC的效率和功率密度 电动汽车的充电体验，很大程度上由车载充电机（OBC）决定。它将交流电转换为直流电为电池充电，直接关系充电速度和整车能效。当行业从400V向80
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把650V SiC MOSFET用对——器件特性、选型参数与驱动设计要点
650V SiC MOSFET正在改变什么 功率半导体行业过去十年里最显著的变化之一，是碳化硅（SiC）从"实验室里的未来材料"变成了量产器件。而在碳化硅产品序列中，650V SiC MOSFET是一
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超低内阻SiC MOSFET的导通电阻还能降多少？从材料到封装的工程优化逻辑
碳化硅材料如何从物理层面实现更低导通电阻 超低内阻 SiC MOSFET 的性能优势根源于碳化硅材料的物理特性。作为宽禁带半导体，4H-SiC 的禁带宽度约为硅的3倍，临界击穿电场强度约为硅的10倍。