超结
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超低内阻SiC MOSFET的导通电阻还能降多少?从材料到封装的工程优化逻辑
碳化硅材料如何从物理层面实现更低导通电阻 超低内阻 SiC MOSFET 的性能优势根源于碳化硅材料的物理特性。作为宽禁带半导体,4H-SiC 的禁带宽度约为硅的3倍,临界击穿电场强度约为硅的10倍。
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