半桥开通电流尖峰：先查体二极管 Qrr，再改死区-嘉威创盈

半桥开通电流尖峰：先查体二极管 Qrr，再改死区

资讯编辑 856 2026-09-04 10:49:37

资讯导读 · 来源：电子发烧友（原文：体二极管已经反偏，MOS 开通电流却突然抬高）

半桥死区已留、驱动也未直通，开通瞬间仍可能冒出很高电流。文中指出：这往往不是逻辑直通，而是对侧 体二极管反向恢复电荷 Q_rr——死区里负载电流先经体二极管续流，换向时开通管要把存储电荷抽走，负载电流与恢复电流叠加，尖峰、损耗与振铃一起出现。

工程师可抓的 3 个决策点

先分清尖峰来源：用电流探头看开通沿是否与体二极管恢复时序重合，再决定改死区、门极电阻还是换器件——不要一上来加吸收。
死区不是越宽越好：过短有直通风险；过长会把更多电流赶进体二极管，Q_rr 反而更大。可配合同步整流时序缩短二极管导通。
器件池要看恢复特性：硬开关半桥评估 SiC MOSFET / GaN 时，把 Q_rr（或接近零恢复）写进与硅超结的对照表，而不只比 25℃ R_DS(on)。