TP65H035G4WS

产品描述与特性

TP65H035G4WS
650V 35mΩ 氮化镓 （GaN） FET ,
将最先进的高压 GaN HEMT 与低压硅 MOSFET 相结合，以提供卓越的可靠性和性能。
瑞萨电子的 GaN 功率产品通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，提供比硅更高的效率。

特性:
符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
Dynamic RDS（on）eff 经过生产测试
坚固的设计，定义
固有寿命测试
宽栅极安全裕度
瞬态过压能力
增强的浪涌电流能力
非常低的 QRR
减少分频损耗
支持 AC-DC 无桥图腾柱 PFC 设计
提高功率密度
减小系统尺寸和重量
总体降低系统成本
在硬开关和软开关电路中实现更高的效率
使用常用的栅极驱动器轻松驱动
GSD 引脚布局改善了高速设计
符合 RoHS 标准和无卤素包装