产品中心

WS3B002500V

制造商：CETC

中国科学院第55研究产品，替代美国VMI 1N6517LL , 用于军工及医疗救护设备（ 便携式除颤仪) VRRM = 5000 V IF ( TC≤75℃) = 2 A ; IFSM = 60 A 特征：  零反向恢复电流 

WS4A020065A

制造商：CETC

中科院第55研究所第4代技术产品 VRRM = 650 V IF ( TC≤135℃) = 30 A QC = 41 nC 新型薄晶圆技术；低正向压降（VF）；零反向恢复电流；零正向恢复电压。  Replace Bipolar wit

WS4A020065K

制造商：CETC

中科院第55研究所 第4代产品 VRRM = 650 V IF ( TC≤135℃) = 36 A QC = 50 Nc 新型薄晶圆技术；低正向压降（VF）；零反向恢复电流；零正向恢复电压, 用单极器件取代双极器件减少散热器尺寸并行器件无热

WM3HA160065E

制造商：CETC

中科院第55研究所 G3 MOSFET 技术 VDS = 650V RDS(on) = 160mΩ ID@25℃= 20A 高阻断电压，低导通电阻，高速开关，低电容，易于并联，易于驱动，15V / 0V VGS与大多数反激控制器兼容 更

WM2HA240120N

制造商：CETC

中科院第55研究所 G2 MOSFET 技术 VDS = 1200V RDS(on) = 240mΩ ID@25℃= 12.8A 高阻塞电压，低导通电阻，高速度切换，低电容，易于并联，易于驱动。 更高的系统效率、更低的散热要求、更高的功率密

WM2HA020120L

制造商：CETC

中科院第55研究所 G2 MOSFET 技术 漏源电压(VDS) = 1200 V 导通电阻(RDS(on)) = 20 毫欧 25℃时额定电流(ID@25℃) = 100 A 高阻断电压，低导通电阻，高速开关，低电容，易于并联，易于驱动

WS3B002500V

制造商：CETC

中国科学院第55研究产品，替代美国VMI 1N6517LL , 用于军工及医疗救护设备（ 便携式除颤仪) VRRM = 5000 V IF ( TC≤75℃) = 2 A ; IFSM = 60 A 特征：  零反向恢复电流 

WS4A020065A

制造商：CETC

中科院第55研究所第4代技术产品 VRRM = 650 V IF ( TC≤135℃) = 30 A QC = 41 nC 新型薄晶圆技术；低正向压降（VF）；零反向恢复电流；零正向恢复电压。  Replace Bipolar wit

WS4A020065K

制造商：CETC

中科院第55研究所 第4代产品 VRRM = 650 V IF ( TC≤135℃) = 36 A QC = 50 Nc 新型薄晶圆技术；低正向压降（VF）；零反向恢复电流；零正向恢复电压, 用单极器件取代双极器件减少散热器尺寸并行器件无热

WM3HA160065E

制造商：CETC

中科院第55研究所 G3 MOSFET 技术 VDS = 650V RDS(on) = 160mΩ ID@25℃= 20A 高阻断电压，低导通电阻，高速开关，低电容，易于并联，易于驱动，15V / 0V VGS与大多数反激控制器兼容 更

WM2HA240120N

制造商：CETC

中科院第55研究所 G2 MOSFET 技术 VDS = 1200V RDS(on) = 240mΩ ID@25℃= 12.8A 高阻塞电压，低导通电阻，高速度切换，低电容，易于并联，易于驱动。 更高的系统效率、更低的散热要求、更高的功率密

WM2HA020120L

制造商：CETC

中科院第55研究所 G2 MOSFET 技术 漏源电压(VDS) = 1200 V 导通电阻(RDS(on)) = 20 毫欧 25℃时额定电流(ID@25℃) = 100 A 高阻断电压，低导通电阻，高速开关，低电容，易于并联，易于驱动

TP65H150G4PS

制造商：瑞萨

TP65H150G4PS 650V 150mΩ 氮化镓 （GaN） FET 瑞萨电子第四代平台构建的常闭器件, 结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术，提供卓越的可靠性和性能。 瑞萨电子 GaN 通过更低

TP65H050G4WS

制造商：Transphorm

TP65H050G4WS 650 V / 50 毫欧的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）瑞萨公司的第四代平台技术。 最先进的高压氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）与低压硅 MOSFET 结合在一起，从而实现了卓越的可靠性和性能。

TP65H035G4WS

制造商：Transphorm

TP65H035G4WS 650V 35mΩ 氮化镓 （GaN） FET , 将最先进的高压 GaN HEMT 与低压硅 MOSFET 相结合，以提供卓越的可靠性和性能。 瑞萨电子的 GaN 功率产品通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更

COS4177SR

制造商：COSINE

【功能】高压高速精密运算放大器芯片 低边/高边电流检测、信号调理 【替代同类产品规格】• OPA4277UA/2K5（TI德州仪器） • OPA4277UA（TI德州仪器） • OPA4202IDR（TI德州仪器） 【应用行业及产品】•

COS8552SR

制造商：COSINE

【功能】零漂移运放 用于放大前端采集到的信号。其极低的失调电压和温漂特性可以最大程度减少信号失真，同时微功耗设计（工作电流低至0.055mA）能大大延长电池供电设备的工作时间。 【替代同类产品规格】• AD8552ARZ（ADI亚德诺）

COS620BRZ

制造商：COSINE

【功能】仪表放大器 由于人体生理信号（如脑电、心电）极其微弱且易受环境干扰，COS620 被用于直接放大电极采集到的差分信号，利用其高共模抑制比滤除工频干扰，并凭借低噪声和低偏置电流特性确保信号的真实性 【替代同类产品规格】• INA12

COS29752WU

制造商：COSINE

【功能】高压大电流电源管理芯片 负责将中间总线电压转换为处理器所需的低压大电流，进行实时的数字监控与智能调压 【替代同类产品规格】• MIC29752WWT（MICROCHIP美国微芯） 【应用行业及产品】• AI计算与数据中心 · A

COS6212Q24R

制造商：COSINE

【功能】高速电力线载波HPLC驱动芯片 （通信模块的信号放大器) 安装在集中器或智能电表内部。实现电表与集中器、主站之间的数据双向传输 【替代同类产品规格】• THS6222IRHFR（TI德州仪器） • THS6212IRHFR（TI德

SY2642

制造商：Synergy

SY2642为低电荷注入、64通道、1:2 MUX、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，适用于医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等应用。 芯片集成泄放电阻，可消除电容性负载两端噪声电压；数据经64位移位寄存器与锁存器加载，在LEB、

SY2326

制造商：Synergy

SY2326为低电荷注入、32通道、SPST、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，面向医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等应用。 芯片集成泄放电阻，可消除电容性负载两端噪声电压；数据经32位移位寄存器与锁存器控制各通道开关。采用HV

SY2325

制造商：Synergy

SY2325为低电荷注入、32通道、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，适用于医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等需低压控制高压开关的应用。 芯片集成泄放电阻，可消除电容性负载（如压电探头）两端积累的噪声电压；数据经32位移位寄存器

SY2322

制造商：Synergy

SY2322为低电荷注入、32通道、1:2 MUX、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，面向医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等应用。 芯片集成泄放电阻，可消除电容性负载两端噪声电压；数据经32位移位寄存器与锁存器控制各通道开关。仅

SY2640

制造商：Synergy

SY2640为低电荷注入、64通道、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，面向医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等需低压控制高压开关的应用。 芯片集成40kΩ泄放电阻，用于消除电容性负载两端噪声电压；数据经64位移位寄存器与锁存器加载

SY2160

制造商：Synergy

SY2160为低电荷注入、16通道、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，适用于需低压逻辑控制高压开关的场合，如医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等。 芯片集成泄放电阻，可消除电容性负载（如压电探头）两端积累的噪声电压。输入数据经16

SY2320FN

制造商：Synergy

SY2320FN为低电荷注入、32通道、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，适用于医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等需低压控制高压开关的场合。 芯片集成泄放电阻，用于消除电容性负载两端噪声电压；数据经32位移位寄存器与锁存器加载，

SY5817

制造商：Synergy

SY5817为八通道、三电平、高压高速脉冲发生器，集成有源T/R开关与快速回零阻尼，适用于便携式医学超声成像、无损检测及测试设备。 每通道输出峰值电流可达±2A以上，脉冲电压可达±100V，并支持归零模式。芯片集成逻辑接口、电平转换、栅极

SY2162QF

制造商：Synergy

SY2162QF为低电荷注入、16通道、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，面向医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等应用。 芯片集成泄放电阻，可消除电容性负载两端噪声电压；数据经16位移位寄存器与锁存器加载，在LEB、CLR等逻辑控

DMZ6012E

制造商：ARK

ADUM3201ARZ

制造商：ADI

双通道数字隔离器，具有增强的系统级ESD可靠性

SY2642

制造商：Synergy

SY2642为低电荷注入、64通道、1:2 MUX、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，适用于医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等应用。 芯片集成泄放电阻，可消除电容性负载两端噪声电压；数据经64位移位寄存器与锁存器加载，在LEB、

SY2326

制造商：Synergy

SY2326为低电荷注入、32通道、SPST、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，面向医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等应用。 芯片集成泄放电阻，可消除电容性负载两端噪声电压；数据经32位移位寄存器与锁存器控制各通道开关。采用HV

SY2325

制造商：Synergy

SY2325为低电荷注入、32通道、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，适用于医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等需低压控制高压开关的应用。 芯片集成泄放电阻，可消除电容性负载（如压电探头）两端积累的噪声电压；数据经32位移位寄存器

SY2322

制造商：Synergy

SY2322为低电荷注入、32通道、1:2 MUX、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，面向医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等应用。 芯片集成泄放电阻，可消除电容性负载两端噪声电压；数据经32位移位寄存器与锁存器控制各通道开关。仅

SY2640

制造商：Synergy

SY2640为低电荷注入、64通道、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，面向医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等需低压控制高压开关的应用。 芯片集成40kΩ泄放电阻，用于消除电容性负载两端噪声电压；数据经64位移位寄存器与锁存器加载

SY2160

制造商：Synergy

SY2160为低电荷注入、16通道、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，适用于需低压逻辑控制高压开关的场合，如医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等。 芯片集成泄放电阻，可消除电容性负载（如压电探头）两端积累的噪声电压。输入数据经16

SY2320FN

制造商：Synergy

SY2320FN为低电荷注入、32通道、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，适用于医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等需低压控制高压开关的场合。 芯片集成泄放电阻，用于消除电容性负载两端噪声电压；数据经32位移位寄存器与锁存器加载，

SY5817

制造商：Synergy

SY5817为八通道、三电平、高压高速脉冲发生器，集成有源T/R开关与快速回零阻尼，适用于便携式医学超声成像、无损检测及测试设备。 每通道输出峰值电流可达±2A以上，脉冲电压可达±100V，并支持归零模式。芯片集成逻辑接口、电平转换、栅极

SY2162QF

制造商：Synergy

SY2162QF为低电荷注入、16通道、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，面向医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等应用。 芯片集成泄放电阻，可消除电容性负载两端噪声电压；数据经16位移位寄存器与锁存器加载，在LEB、CLR等逻辑控

COS4177SR

制造商：COSINE

【功能】高压高速精密运算放大器芯片 低边/高边电流检测、信号调理 【替代同类产品规格】• OPA4277UA/2K5（TI德州仪器） • OPA4277UA（TI德州仪器） • OPA4202IDR（TI德州仪器） 【应用行业及产品】•

COS620BRZ

制造商：COSINE

【功能】仪表放大器 由于人体生理信号（如脑电、心电）极其微弱且易受环境干扰，COS620 被用于直接放大电极采集到的差分信号，利用其高共模抑制比滤除工频干扰，并凭借低噪声和低偏置电流特性确保信号的真实性 【替代同类产品规格】• INA12

COS6212Q24R

制造商：COSINE

【功能】高速电力线载波HPLC驱动芯片 （通信模块的信号放大器) 安装在集中器或智能电表内部。实现电表与集中器、主站之间的数据双向传输 【替代同类产品规格】• THS6222IRHFR（TI德州仪器） • THS6212IRHFR（TI德

COS29752WU

制造商：COSINE

【功能】高压大电流电源管理芯片 负责将中间总线电压转换为处理器所需的低压大电流，进行实时的数字监控与智能调压 【替代同类产品规格】• MIC29752WWT（MICROCHIP美国微芯） 【应用行业及产品】• AI计算与数据中心 · A

COS8552SR

制造商：COSINE

【功能】零漂移运放 用于放大前端采集到的信号。其极低的失调电压和温漂特性可以最大程度减少信号失真，同时微功耗设计（工作电流低至0.055mA）能大大延长电池供电设备的工作时间。 【替代同类产品规格】• AD8552ARZ（ADI亚德诺）

1N6517LL

制造商：SMF

美国VIM 公司产品， V=5000V； 55V/ 1.5A ; 100V/1A ； Trr=70 nS If=0.5A, Ir=1.0A, Irr=0.25A Temp.= -65°C to +175°C Stg. Temp.= -

BAW56

制造商：JDW

(A1)

FR107W

制造商：JDW

1N4148W

制造商：JDW

RMC65R380SD

制造商：亚成微

亚成微 MOSFET，TO-220F，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

MPSA65M390

制造商：芯长征

芯长征 MOSFET，TO-220F，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

MPSA65M380B

制造商：芯长征

芯长征 MOSFET，TO-220F，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

MPSA65M260

制造商：芯长征

芯长征 MOSFET，TO-220F，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

MPSA65M170

制造商：芯长征

芯长征 MOSFET，TO-220F，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

MPSA65M110B

制造商：芯长征

芯长征 MOSFET，TO-220F，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

HGP115N15S

制造商：Hunteck

Hunteck MOSFET，TO-220，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

MOT5N65D

制造商：MOT

耐压:650V 电流:5A N型 场效应管

MOT13N50F

制造商：MOT

耐压:500V 电流:13A N型 场效应管

MOT10N65F

制造商：MOT

耐压:650V 电流:10A N型 场效应管

MOT7N65EF

制造商：MOT

耐压:650V 电流:7A N型 场效应管

MOT10150D

制造商：MOT

电压:150V 电流:10A 共阴极肖特基二极管

AP100N06F

制造商：APM

APM，P沟道，MOSFET，10A连续电流，TO-220F封装，低导通电阻设计，符合RoHS环保标准，适用于电源管理、电机驱动、同步整流、负载开关等应用场景，工作温度范围-40°C至125°C

AP100N06D

制造商：APM

一、结构与类型 沟道类型：N 沟道（N-Channel） 工作模式：增强型（Enhancement Mode） 工艺结构：非平面，是沟槽（Trench）结构（官方技术为 APM-SGT II，即屏蔽栅沟槽） 封装：TO-252-3L（DPA

AP180N03NF

制造商：APM

APM，P沟道，MOSFET，30V耐压，PDFN5*6-8L封装，低导通电阻设计，符合RoHS环保标准，适用于电源管理、电机驱动、同步整流、负载开关等应用场景，工作温度范围-40°C至125°C

AP20N06D

制造商：APM

APM，P沟道，MOSFET，TO-252封装，低导通电阻设计，符合RoHS环保标准，适用于电源管理、电机驱动、同步整流、负载开关等应用场景，工作温度范围-40°C至125°C

AP3401AI

制造商：APM

APM，P沟道，MOSFET，1A连续电流，SOT-23封装，低导通电阻设计，符合RoHS环保标准，适用于电源管理、电机驱动、同步整流、负载开关等应用场景，工作温度范围-40°C至125°C

AP100N08D

制造商：APM

APM，P沟道，MOSFET，10A连续电流，TO-252封装，低导通电阻设计，符合RoHS环保标准，适用于电源管理、电机驱动、同步整流、负载开关等应用场景，工作温度范围-40°C至125°C

MOT5N65D

制造商：MOT

耐压:650V 电流:5A N型 场效应管

MOT13N50F

制造商：MOT

耐压:500V 电流:13A N型 场效应管

MOT10N65F

制造商：MOT

耐压:650V 电流:10A N型 场效应管

MOT7N65EF

制造商：MOT

耐压:650V 电流:7A N型 场效应管

AP100N06F

制造商：APM

APM，P沟道，MOSFET，10A连续电流，TO-220F封装，低导通电阻设计，符合RoHS环保标准，适用于电源管理、电机驱动、同步整流、负载开关等应用场景，工作温度范围-40°C至125°C

AP100N06D

制造商：APM

一、结构与类型 沟道类型：N 沟道（N-Channel） 工作模式：增强型（Enhancement Mode） 工艺结构：非平面，是沟槽（Trench）结构（官方技术为 APM-SGT II，即屏蔽栅沟槽） 封装：TO-252-3L（DPA

HGP115N15S

制造商：Hunteck

Hunteck MOSFET，TO-220，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

MOT10150D

制造商：MOT

电压:150V 电流:10A 共阴极肖特基二极管

AP180N03NF

制造商：APM

APM，P沟道，MOSFET，30V耐压，PDFN5*6-8L封装，低导通电阻设计，符合RoHS环保标准，适用于电源管理、电机驱动、同步整流、负载开关等应用场景，工作温度范围-40°C至125°C

AP20N06D

制造商：APM

APM，P沟道，MOSFET，TO-252封装，低导通电阻设计，符合RoHS环保标准，适用于电源管理、电机驱动、同步整流、负载开关等应用场景，工作温度范围-40°C至125°C

AP3401AI

制造商：APM

APM，P沟道，MOSFET，1A连续电流，SOT-23封装，低导通电阻设计，符合RoHS环保标准，适用于电源管理、电机驱动、同步整流、负载开关等应用场景，工作温度范围-40°C至125°C

AP100N08D

制造商：APM

APM，P沟道，MOSFET，10A连续电流，TO-252封装，低导通电阻设计，符合RoHS环保标准，适用于电源管理、电机驱动、同步整流、负载开关等应用场景，工作温度范围-40°C至125°C

RMC65R380SD

制造商：亚成微

亚成微 MOSFET，TO-220F，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

MPSA65M390

制造商：芯长征

芯长征 MOSFET，TO-220F，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

MPSA65M380B

制造商：芯长征

芯长征 MOSFET，TO-220F，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

MPSA65M260

制造商：芯长征

芯长征 MOSFET，TO-220F，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

MPSA65M170

制造商：芯长征

芯长征 MOSFET，TO-220F，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

MPSA65M110B

制造商：芯长征

芯长征 MOSFET，TO-220F，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

435304

制造商：SUPU

替代德国WAGO 734-104/734-164 1. 板端安装兼容：3.81mm标准间距，直针长度、焊针直径与万可734系列一致，PCB焊盘无需重新设计；2. 接线功能一致：顶压式弹簧接线，按压力度、导线夹持力满足0.

450612

制造商：SUPU

速普

435318

制造商：SUPU

替代德国WAGO 734-178 SUPU 连接器，3.5mm-18pin，接触电阻低，插拔寿命长，防震动设计，符合RoHS，适用于电子设备信号/电源连接

241202

制造商：SUPU

替代万可（261-202）

241204

制造商：SUPU

SUPU 连接器，04P-2.5mm 灰色，接触电阻低，插拔寿命长，防震动设计，符合RoHS，适用于电子设备信号/电源连接

241203

制造商：SUPU

250207-F-0001

制造商：SUPU

JW3401

制造商：JAWIN

嘉威荣誉出品，国产首选品牌。

JWESD0603MS24

制造商：JAWIN

嘉威荣誉出品，国产首选品牌

JWESD0402MS24

制造商：JAWIN

嘉威荣誉出品，国产首选品牌

BAT54C

制造商：JAWIN

嘉威荣誉出品，国产首选品牌

CLAMP0521P

制造商：JAWIN

嘉威荣誉出品，国产首选品牌

ESD9B5V0

制造商：JAWIN

大厂制造 品质保障 ，国产首选品牌