第三代半导体

第三代半导体共 9 款型号，9 款精选。查全库可用库存查询。

子分类

第三代半导体（9）

碳化硅半导体（6）碳化硅二极管（3）碳化硅MOSFET（3）碳化硅模块氮化镓半导体（3）

碳化硅半导体

碳化硅二极管（3）碳化硅MOSFET（3）

WS3B002500V

制造商：CETC

中国科学院第55研究产品，替代美国VMI 1N6517LL , 用于军工及医疗救护设备（便携式除颤仪) VRRM = 5000 V IF ( TC≤75℃) = 2 A ; IFSM = 60 A 特征：  零反向恢复电流 
WS4A020065A

制造商：CETC

中科院第55研究所第4代技术产品 VRRM = 650 V IF ( TC≤135℃) = 30 A QC = 41 nC 新型薄晶圆技术；低正向压降（VF）；零反向恢复电流；零正向恢复电压。  Replace Bipolar wit
WS4A020065K

制造商：CETC

中科院第55研究所第4代产品 VRRM = 650 V IF ( TC≤135℃) = 36 A QC = 50 Nc 新型薄晶圆技术；低正向压降（VF）；零反向恢复电流；零正向恢复电压, 用单极器件取代双极器件减少散热器尺寸并行器件无热
WM3HA160065E

制造商：CETC

中科院第55研究所 G3 MOSFET 技术 VDS = 650V RDS(on) = 160mΩ ID@25℃= 20A 高阻断电压，低导通电阻，高速开关，低电容，易于并联，易于驱动，15V / 0V VGS与大多数反激控制器兼容 更
WM2HA240120N

制造商：CETC

中科院第55研究所 G2 MOSFET 技术 VDS = 1200V RDS(on) = 240mΩ ID@25℃= 12.8A 高阻塞电压，低导通电阻，高速度切换，低电容，易于并联，易于驱动。更高的系统效率、更低的散热要求、更高的功率密
WM2HA020120L

制造商：CETC

中科院第55研究所 G2 MOSFET 技术漏源电压(VDS) = 1200 V 导通电阻(RDS(on)) = 20 毫欧 25℃时额定电流(ID@25℃) = 100 A 高阻断电压，低导通电阻，高速开关，低电容，易于并联，易于驱动

碳化硅二极管

碳化硅MOSFET

氮化镓半导体