TP65H050G4WS

产品描述与特性

TP65H050G4WS
650 V / 50 毫欧的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）瑞萨公司的第四代平台技术。

最先进的高压氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）与低压硅 MOSFET 结合在一起，从而实现了卓越的可靠性和性能。

特点：
Gen IV SuperGaN® 平台采用了先进的外延工艺和专利设计技术，旨在简化制造流程，同时通过降低栅极电荷、输出电容、过冲损耗和反向恢复电荷等方式提高效率，从而超越硅材料。