硅基半导体

COS4177SR

制造商：COSINE

【功能】高压高速精密运算放大器芯片 低边/高边电流检测、信号调理 【替代同类产品规格】• OPA4277UA/2K5（TI德州仪器） • OPA4277UA（TI德州仪器） • OPA4202IDR（TI德州仪器） 【应用行业及产品】•

COS8552SR

制造商：COSINE

【功能】零漂移运放 用于放大前端采集到的信号。其极低的失调电压和温漂特性可以最大程度减少信号失真，同时微功耗设计（工作电流低至0.055mA）能大大延长电池供电设备的工作时间。 【替代同类产品规格】• AD8552ARZ（ADI亚德诺）

COS620BRZ

制造商：COSINE

【功能】仪表放大器 由于人体生理信号（如脑电、心电）极其微弱且易受环境干扰，COS620 被用于直接放大电极采集到的差分信号，利用其高共模抑制比滤除工频干扰，并凭借低噪声和低偏置电流特性确保信号的真实性 【替代同类产品规格】• INA12

COS29752WU

制造商：COSINE

【功能】高压大电流电源管理芯片 负责将中间总线电压转换为处理器所需的低压大电流，进行实时的数字监控与智能调压 【替代同类产品规格】• MIC29752WWT（MICROCHIP美国微芯） 【应用行业及产品】• AI计算与数据中心 · A

COS6212Q24R

制造商：COSINE

【功能】高速电力线载波HPLC驱动芯片 （通信模块的信号放大器) 安装在集中器或智能电表内部。实现电表与集中器、主站之间的数据双向传输 【替代同类产品规格】• THS6222IRHFR（TI德州仪器） • THS6212IRHFR（TI德

SY2642

制造商：Synergy

SY2642为低电荷注入、64通道、1:2 MUX、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，适用于医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等应用。 芯片集成泄放电阻，可消除电容性负载两端噪声电压；数据经64位移位寄存器与锁存器加载，在LEB、

SY2326

制造商：Synergy

SY2326为低电荷注入、32通道、SPST、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，面向医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等应用。 芯片集成泄放电阻，可消除电容性负载两端噪声电压；数据经32位移位寄存器与锁存器控制各通道开关。采用HV

SY2325

制造商：Synergy

SY2325为低电荷注入、32通道、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，适用于医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等需低压控制高压开关的应用。 芯片集成泄放电阻，可消除电容性负载（如压电探头）两端积累的噪声电压；数据经32位移位寄存器

SY2322

制造商：Synergy

SY2322为低电荷注入、32通道、1:2 MUX、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，面向医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等应用。 芯片集成泄放电阻，可消除电容性负载两端噪声电压；数据经32位移位寄存器与锁存器控制各通道开关。仅

SY2640

制造商：Synergy

SY2640为低电荷注入、64通道、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，面向医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等需低压控制高压开关的应用。 芯片集成40kΩ泄放电阻，用于消除电容性负载两端噪声电压；数据经64位移位寄存器与锁存器加载

SY2160

制造商：Synergy

SY2160为低电荷注入、16通道、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，适用于需低压逻辑控制高压开关的场合，如医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等。 芯片集成泄放电阻，可消除电容性负载（如压电探头）两端积累的噪声电压。输入数据经16

SY2320FN

制造商：Synergy

SY2320FN为低电荷注入、32通道、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，适用于医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等需低压控制高压开关的场合。 芯片集成泄放电阻，用于消除电容性负载两端噪声电压；数据经32位移位寄存器与锁存器加载，

SY5817

制造商：Synergy

SY5817为八通道、三电平、高压高速脉冲发生器，集成有源T/R开关与快速回零阻尼，适用于便携式医学超声成像、无损检测及测试设备。 每通道输出峰值电流可达±2A以上，脉冲电压可达±100V，并支持归零模式。芯片集成逻辑接口、电平转换、栅极

SY2162QF

制造商：Synergy

SY2162QF为低电荷注入、16通道、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，面向医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等应用。 芯片集成泄放电阻，可消除电容性负载两端噪声电压；数据经16位移位寄存器与锁存器加载，在LEB、CLR等逻辑控

DMZ6012E

制造商：ARK

ADUM3201ARZ

制造商：ADI

双通道数字隔离器，具有增强的系统级ESD可靠性

SY2642

制造商：Synergy

SY2642为低电荷注入、64通道、1:2 MUX、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，适用于医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等应用。 芯片集成泄放电阻，可消除电容性负载两端噪声电压；数据经64位移位寄存器与锁存器加载，在LEB、

SY2326

制造商：Synergy

SY2326为低电荷注入、32通道、SPST、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，面向医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等应用。 芯片集成泄放电阻，可消除电容性负载两端噪声电压；数据经32位移位寄存器与锁存器控制各通道开关。采用HV

SY2325

制造商：Synergy

SY2325为低电荷注入、32通道、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，适用于医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等需低压控制高压开关的应用。 芯片集成泄放电阻，可消除电容性负载（如压电探头）两端积累的噪声电压；数据经32位移位寄存器

SY2322

制造商：Synergy

SY2322为低电荷注入、32通道、1:2 MUX、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，面向医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等应用。 芯片集成泄放电阻，可消除电容性负载两端噪声电压；数据经32位移位寄存器与锁存器控制各通道开关。仅

SY2640

制造商：Synergy

SY2640为低电荷注入、64通道、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，面向医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等需低压控制高压开关的应用。 芯片集成40kΩ泄放电阻，用于消除电容性负载两端噪声电压；数据经64位移位寄存器与锁存器加载

SY2160

制造商：Synergy

SY2160为低电荷注入、16通道、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，适用于需低压逻辑控制高压开关的场合，如医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等。 芯片集成泄放电阻，可消除电容性负载（如压电探头）两端积累的噪声电压。输入数据经16

SY2320FN

制造商：Synergy

SY2320FN为低电荷注入、32通道、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，适用于医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等需低压控制高压开关的场合。 芯片集成泄放电阻，用于消除电容性负载两端噪声电压；数据经32位移位寄存器与锁存器加载，

SY5817

制造商：Synergy

SY5817为八通道、三电平、高压高速脉冲发生器，集成有源T/R开关与快速回零阻尼，适用于便携式医学超声成像、无损检测及测试设备。 每通道输出峰值电流可达±2A以上，脉冲电压可达±100V，并支持归零模式。芯片集成逻辑接口、电平转换、栅极

SY2162QF

制造商：Synergy

SY2162QF为低电荷注入、16通道、带泄放电阻的高压模拟开关集成电路，面向医学超声成像、工业无损探伤及压电传感器驱动等应用。 芯片集成泄放电阻，可消除电容性负载两端噪声电压；数据经16位移位寄存器与锁存器加载，在LEB、CLR等逻辑控

COS4177SR

制造商：COSINE

【功能】高压高速精密运算放大器芯片 低边/高边电流检测、信号调理 【替代同类产品规格】• OPA4277UA/2K5（TI德州仪器） • OPA4277UA（TI德州仪器） • OPA4202IDR（TI德州仪器） 【应用行业及产品】•

COS620BRZ

制造商：COSINE

【功能】仪表放大器 由于人体生理信号（如脑电、心电）极其微弱且易受环境干扰，COS620 被用于直接放大电极采集到的差分信号，利用其高共模抑制比滤除工频干扰，并凭借低噪声和低偏置电流特性确保信号的真实性 【替代同类产品规格】• INA12

COS6212Q24R

制造商：COSINE

【功能】高速电力线载波HPLC驱动芯片 （通信模块的信号放大器) 安装在集中器或智能电表内部。实现电表与集中器、主站之间的数据双向传输 【替代同类产品规格】• THS6222IRHFR（TI德州仪器） • THS6212IRHFR（TI德

COS29752WU

制造商：COSINE

【功能】高压大电流电源管理芯片 负责将中间总线电压转换为处理器所需的低压大电流，进行实时的数字监控与智能调压 【替代同类产品规格】• MIC29752WWT（MICROCHIP美国微芯） 【应用行业及产品】• AI计算与数据中心 · A

COS8552SR

制造商：COSINE

【功能】零漂移运放 用于放大前端采集到的信号。其极低的失调电压和温漂特性可以最大程度减少信号失真，同时微功耗设计（工作电流低至0.055mA）能大大延长电池供电设备的工作时间。 【替代同类产品规格】• AD8552ARZ（ADI亚德诺）

1N6517LL

制造商：SMF

美国VIM 公司产品， V=5000V； 55V/ 1.5A ; 100V/1A ； Trr=70 nS If=0.5A, Ir=1.0A, Irr=0.25A Temp.= -65°C to +175°C Stg. Temp.= -

BAW56

制造商：JDW

(A1)

FR107W

制造商：JDW

1N4148W

制造商：JDW

RMC65R380SD

制造商：亚成微

亚成微 MOSFET，TO-220F，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

MPSA65M390

制造商：芯长征

芯长征 MOSFET，TO-220F，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

MPSA65M380B

制造商：芯长征

芯长征 MOSFET，TO-220F，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

MPSA65M260

制造商：芯长征

芯长征 MOSFET，TO-220F，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

MPSA65M170

制造商：芯长征

芯长征 MOSFET，TO-220F，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

MPSA65M110B

制造商：芯长征

芯长征 MOSFET，TO-220F，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

HGP115N15S

制造商：Hunteck

Hunteck MOSFET，TO-220，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

MOT5N65D

制造商：MOT

耐压:650V 电流:5A N型 场效应管

MOT13N50F

制造商：MOT

耐压:500V 电流:13A N型 场效应管

MOT10N65F

制造商：MOT

耐压:650V 电流:10A N型 场效应管

MOT7N65EF

制造商：MOT

耐压:650V 电流:7A N型 场效应管

MOT10150D

制造商：MOT

电压:150V 电流:10A 共阴极肖特基二极管

AP100N06F

制造商：APM

APM，P沟道，MOSFET，10A连续电流，TO-220F封装，低导通电阻设计，符合RoHS环保标准，适用于电源管理、电机驱动、同步整流、负载开关等应用场景，工作温度范围-40°C至125°C

AP100N06D

制造商：APM

一、结构与类型 沟道类型：N 沟道（N-Channel） 工作模式：增强型（Enhancement Mode） 工艺结构：非平面，是沟槽（Trench）结构（官方技术为 APM-SGT II，即屏蔽栅沟槽） 封装：TO-252-3L（DPA

AP180N03NF

制造商：APM

APM，P沟道，MOSFET，30V耐压，PDFN5*6-8L封装，低导通电阻设计，符合RoHS环保标准，适用于电源管理、电机驱动、同步整流、负载开关等应用场景，工作温度范围-40°C至125°C

AP20N06D

制造商：APM

APM，P沟道，MOSFET，TO-252封装，低导通电阻设计，符合RoHS环保标准，适用于电源管理、电机驱动、同步整流、负载开关等应用场景，工作温度范围-40°C至125°C

AP3401AI

制造商：APM

APM，P沟道，MOSFET，1A连续电流，SOT-23封装，低导通电阻设计，符合RoHS环保标准，适用于电源管理、电机驱动、同步整流、负载开关等应用场景，工作温度范围-40°C至125°C

AP100N08D

制造商：APM

APM，P沟道，MOSFET，10A连续电流，TO-252封装，低导通电阻设计，符合RoHS环保标准，适用于电源管理、电机驱动、同步整流、负载开关等应用场景，工作温度范围-40°C至125°C

MOT5N65D

制造商：MOT

耐压:650V 电流:5A N型 场效应管

MOT13N50F

制造商：MOT

耐压:500V 电流:13A N型 场效应管

MOT10N65F

制造商：MOT

耐压:650V 电流:10A N型 场效应管

MOT7N65EF

制造商：MOT

耐压:650V 电流:7A N型 场效应管

AP100N06F

制造商：APM

APM，P沟道，MOSFET，10A连续电流，TO-220F封装，低导通电阻设计，符合RoHS环保标准，适用于电源管理、电机驱动、同步整流、负载开关等应用场景，工作温度范围-40°C至125°C

AP100N06D

制造商：APM

一、结构与类型 沟道类型：N 沟道（N-Channel） 工作模式：增强型（Enhancement Mode） 工艺结构：非平面，是沟槽（Trench）结构（官方技术为 APM-SGT II，即屏蔽栅沟槽） 封装：TO-252-3L（DPA

HGP115N15S

制造商：Hunteck

Hunteck MOSFET，TO-220，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

MOT10150D

制造商：MOT

电压:150V 电流:10A 共阴极肖特基二极管

AP180N03NF

制造商：APM

APM，P沟道，MOSFET，30V耐压，PDFN5*6-8L封装，低导通电阻设计，符合RoHS环保标准，适用于电源管理、电机驱动、同步整流、负载开关等应用场景，工作温度范围-40°C至125°C

AP20N06D

制造商：APM

APM，P沟道，MOSFET，TO-252封装，低导通电阻设计，符合RoHS环保标准，适用于电源管理、电机驱动、同步整流、负载开关等应用场景，工作温度范围-40°C至125°C

AP3401AI

制造商：APM

APM，P沟道，MOSFET，1A连续电流，SOT-23封装，低导通电阻设计，符合RoHS环保标准，适用于电源管理、电机驱动、同步整流、负载开关等应用场景，工作温度范围-40°C至125°C

AP100N08D

制造商：APM

APM，P沟道，MOSFET，10A连续电流，TO-252封装，低导通电阻设计，符合RoHS环保标准，适用于电源管理、电机驱动、同步整流、负载开关等应用场景，工作温度范围-40°C至125°C

RMC65R380SD

制造商：亚成微

亚成微 MOSFET，TO-220F，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

MPSA65M390

制造商：芯长征

芯长征 MOSFET，TO-220F，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

MPSA65M380B

制造商：芯长征

芯长征 MOSFET，TO-220F，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

MPSA65M260

制造商：芯长征

芯长征 MOSFET，TO-220F，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

MPSA65M170

制造商：芯长征

芯长征 MOSFET，TO-220F，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换

MPSA65M110B

制造商：芯长征

芯长征 MOSFET，TO-220F，高开关频率，高温稳定性好，符合RoHS，适用于电机驱动、电源转换