AP100N06D

产品描述与特性

一、结构与类型
沟道类型：N 沟道（N-Channel）
工作模式：增强型（Enhancement Mode）
工艺结构：非平面，是沟槽（Trench）结构（官方技术为 APM-SGT II，即屏蔽栅沟槽）
封装：TO-252-3L（DPAK） 贴片
二、核心参数（25℃，典型 / 最大值）
1. 极限电气参数
漏源耐压 VDSS：60V
栅源耐压 VGS：±20V
连续漏极电流 ID：100A@TC=25℃
脉冲漏极电流 IDM：400A
单脉冲雪崩能量 EAS：265mJ
总耗散功率 PD：87W@TC=25℃
工作温度：-55℃ ~ +150℃
2. 静态导通特性
栅极阈值电压 VGS (th)：1.0 ~ 2.5V（典型 1.6V）
导通电阻 RDS (on)：
典型 4.2mΩ @ VGS=10V, ID=50A
最大 6.0mΩ @ VGS=10V
3. 开关动态参数
总栅极电荷 Qg：约 45nC @ VGS=10V
栅源电荷 Qgs：约 9.5nC
栅漏电荷 Qgd：约 16nC
输入电容 Ciss：约 2800pF @ VDS=15V
三、用途
常用于电池保护、DC-DC、电机驱动、负载开关、逆变器、UPS等大电流低压场景。