WM2HA240120N
产品描述与特性
中科院第55研究所 G2 MOSFET 技术
VDS = 1200V
RDS(on) = 240mΩ
ID@25℃= 12.8A
高阻塞电压，低导通电阻，高速度切换，低电容，易于并联，易于驱动。
更高的系统效率、更低的散热要求、更高的功率密度、更高的系统开关频率
中科院第55研究所 G2 MOSFET 技术
VDS = 1200V
RDS(on) = 240mΩ
ID@25℃= 12.8A
高阻塞电压，低导通电阻，高速度切换，低电容，易于并联，易于驱动。
更高的系统效率、更低的散热要求、更高的功率密度、更高的系统开关频率