TP65H150G4PS

产品描述与特性

TP65H150G4PS 650V 150mΩ 氮化镓 （GaN） FET
瑞萨电子第四代平台构建的常闭器件, 结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术，提供卓越的可靠性和性能。

瑞萨电子 GaN 通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，提供比硅更高的效率。

TP65H150G4PS采用行业标准 TO-220 封装，具有通用源封装配置。

特性：
符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
Dynamic RDS（on）eff 经过生产测试
坚固的设计，定义
固有寿命测试
宽栅极安全裕度
瞬态过压能力
非常低的 QRR
减少分频损耗
符合 RoHS 标准和无卤素包装
支持 AC-DC 和 DC-DC 设计
提高功率密度
减小系统尺寸和重量
总体降低系统成本
在硬开关和软开关电路中实现更高的效率
使用常用栅极驱动器易于驱动

应用:
●消费领域
●电源适配器
●低功耗 SMPS
●照明系统