WM3HA160065E

产品描述与特性

中科院第55研究所 G3 MOSFET 技术
VDS = 650V
RDS(on) = 160mΩ
ID@25℃= 20A
高阻断电压，低导通电阻，高速开关，低电容，易于并联，易于驱动，15V / 0V VGS与大多数反激控制器兼容
更高系统效率
 降低冷却需求
 提高功率密度
 提高系统开关频率
 减少散热器需求