WM2HA020120L

产品描述与特性

中科院第55研究所 G2 MOSFET 技术
漏源电压(VDS) = 1200 V
导通电阻(RDS(on)) = 20 毫欧
25℃时额定电流(ID@25℃) = 100 A

高阻断电压，低导通电阻，高速开关，低电容，易于并联，易于驱动
更高的系统效率、更低的散热要求、更高的功率密度、更高的系统开关频率