WS3B002500V
替代同类产品规格
• VMI 1N6517LL（美国）
功能
高压碳化硅（SiC）肖特基二极管
中科院相关单位 / CETC 体系产品，面向医疗电子与高电压脉冲电源。公开规格可提供 VRRM = 5000V、IF = 2A（TC≤75℃）、浪涌 IFSM = 60A，封装 DO-201AD，工作结温约 -55℃～175℃。
主要参数（以规格书为准）：
• VRRM = 5000 V（TC=25℃）
• IF = 2.0 A（TC≤75℃）；IF = 1.0 A（TC≤125℃）
• IFSM = 60 A（tp=8.3ms，半波）
• 封装：DO-201AD
• trr 典型约 30ns（以规格书为准）
特征：
• 零反向恢复电流
• 零正向恢复电压
• 反向电压正温度系数
• 温度无关型开关
• 基本上没有开关损耗
优势：
• 可用单极型 SiC 肖特基替换部分双极型高压二极管方案
• 有利于减小散热器尺寸
• 并联时不易出现热失控
• 适合高压脉冲场景降低开关损耗
应用行业及产品
• 医疗电子学 · 便携式除颤仪（AED）及相关高压脉冲链路：整流、钳位与脉冲成形等
• 高电压脉冲电源供应器 · 军工及工业高压脉冲电源模块
• 其它需要 5000V 级耐压、DO-201AD 封装的高压整流 / 钳位场景