读懂 MOSFET 的 RDS(on)：别只盯 25℃ 标称

资讯编辑 797 2026-09-03 11:44:22

行业快讯 · 来源：电子发烧友（原文：深度解读 MOSFET 的导通电阻）

RDS(on) 是估算导通损耗的基准，但会随 VGS、ID、Tj 变化——温度升高或驱动电压偏低时电阻上升。文中对比 BJT 的 VCE(sat) 思路，强调 MOSFET 损耗近似与电流平方成正比，并给出读规格书与选型注意点。

对做 SiC/硅超结对照的工程师：不要只用 25℃ 标称比价；把工作结温下的 RDS(on)、驱动电压窗口与散热器余量放进同一轮计算。

原文：https://www.elecfans.com/d/8279819.html

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本稿为资讯摘要；损耗公式与曲线以原文及器件规格书为准。

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