WM3HA300065E

替代同类产品规格

• 硅超结 / CoolMOS™ 类 600~650V MOSFET（选型参考，支持按应用复核）
• 同类需 ± 驱动的 650V SiC MOSFET（改用 15V/0V 简化驱动）
• Infineon CoolMOS™ C7/P7 等中功率 PFC/SMPS/逆变器功率管（参数级对照）

功能

N 沟道碳化硅功率 MOSFET（中科院第55研究所 / CETC G3 技术）。与多数需负压关断的 SiC MOSFET 不同，本器件支持 15V / 0V 栅极驱动，兼容常见反激控制器与硅超结（CoolMOS™ 类）驱动习惯，便于在太阳能/UPS 逆变器、车载充电机辅助级、SMPS、负载开关等场景做硅→SiC 升级或第二货源评估。

配套优势：对齐主流 650V 开关电源与逆变器应用，阻断与开关性能不妥协；无需负压关断电源，驱动更简、改造 BOM 成本更可控；支持小批量打样与项目一对一跟进，适合电源与逆变器客户做效率升级试点。

主要参数（典型值，以规格书为准）：
• VDS = 650 V
• RDS(on) 典型约 300 mΩ（VGS=15V, ID=5A）；约 250 mΩ（VGS=18V, ID=5A）
• ID@25℃：约 10 A（VGS=15V）/ 11 A（VGS=18V）
• VGS(th) 典型约 3.2 V（2.4~4.0 V）
• 推荐工作栅压：关断 −5…0 V，开通 +15…+18 V（规格书明示 15V/0V 可兼容多数反激控制器）
• 封装：TO-252-2L；结温 −55℃ ~ +175℃
• QG 典型约 6.3 nC；开关速度快、电容低，易于并联与驱动

相对硅超结 / CoolMOS™ 的选型要点：
• 优势：开关损耗与 Qrr 显著低于硅超结，利于提高开关频率、缩小磁性件与散热器；高温下性能更稳；在器件单价逐步接近同档硅方案时，系统级效率与体积优势更明显；0V 关断可省掉负压辅助电源。
• 注意：体二极管 Vf 通常高于硅管，续流/同步路径需复核；半桥等易米勒导通拓扑若坚持 0V 关断，应优化布局与 RGoff，或改用负压/米勒钳位；RDS(on) 随 VGS 与温度变化，15V 与 18V 驱动导通损耗不同，替换 CoolMOS 前建议按实测温升与效率曲线验证。

应用行业及产品

• 太阳能与 UPS · 逆变器功率级/辅助开关评估
• 车载与工业充电 · OBC、高压 DC-DC、负载开关
• 开关电源与显示电源 · SMPS、LED/LCD/PDP TV 与监视器照明