车规 SiC 主驱：比导通电阻下降后要复核什么

资讯编辑 1216 2026-09-16 09:43:37

资讯导读 · 来源：SEMI 大半导体产业网（原文：芯粤能、芯聚能协同开发第二代碳化硅主驱芯片与模块）

报道称车规级 SiC 主驱「芯片 + 模块」组合已上车，并在联合开发的下一代全系列里给出可核对的工艺进展：元胞特征尺寸下降约 31%、比导通电阻 Rsp 下降约 20%；同时点名 2–3kV 高压、JFET、沟槽与超结等工艺平台布局。对工程师有意义的不是「谁定点了」，而是芯片—模块垂直整合正在改变主驱选型的对照口径。

工程师可抓的 3 个决策点

  1. Rsp 下降要落到芯片面积与热阻：比导通电阻改善通常意味着同 RDS(on) 下更小芯片，但结到壳热阻与短路耐量可能同时变紧——温升与 SCWT 要一起复核。
  2. 分清「买模块」还是「买裸片自封」：主驱走模块时看杂散电感、均流与封装工艺；自建功率级时才回到分立器件与驱动窗口，两条路的验证包不同。
  3. 电压档按母线选，不追代际：乘用车主驱多在 750/1200V 档；2–3kV 布局面向电网与更高母线场景。评估第二货源时先锁档位，再谈工艺代。

原文：https://www.semi.org.cn/site/semi/article/497a51ad4d994f25bc04f7863129af81.html

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