100V 增强型 GaN 半桥：自举过充先钳住，再谈 6V 栅压

资讯编辑 2441 2026-10-20 09:08:01

行业快讯 · 来源：元件网（原文：圣邦微电子 SGM48218 半桥驱动器）

圣邦微电子发布 SGM48218，一颗面向增强型氮化镓的 100V 半桥栅极驱动。供电 4.5～6.0V，典型峰值拉电流 1.7A、灌电流 5.2A；传输延时典型 18ns，上下管延迟失配典型 1.5ns，最小输入脉宽可到 5ns。开关节点在 20ns 内可到 −10V～110V，标称变化率 50V/ns。封装有 TQFN-3×3-14、WLCSP，UTQFN 尚未量产；输入过压检测只在 TQFN 这一档。

和通用半桥驱动相比，文中强调两件事：低边续流时用主动自举抑制高边电源轨过充；开通、关断分开引出，方便分别设定栅极电阻。应用场景写的是 48V 及以下直流变换、服务器与通信电源、电池化成和机器人电机，不是 650V 共源共栅氮化镓那一档栅压。评估时把自举电容电压、死区和 6V 栅压上限放在同一轮双脉冲里，不要把高压共源共栅器件的驱动电阻直接搬过来。

原文：https://component.eetrend.com/content/2026-10/6389489f-489c-4f12-b108-fb7615ea477a-100604767.html

相关阅读

本稿为资讯摘要；电气参数以圣邦微电子规格书为准。

标签：
上一篇: 第三代半导体和硅基器件有何区别？SiC与GaN场景适配
相关文章

热门标签