平面栅碳化硅换代：比导通电阻下降后，先核短路与封装

资讯导读 · 来源：中电网（原文：长飞先进：多代SiC MOSFET集中发布，应用能力决定长期格局）

报道称长飞先进在 10 月 15 日的技术发布会上，一并给出第四代至第六代平面栅碳化硅 MOSFET，以及 1500V–3300V 中高压规格和两套模块平台。对外口径不再只比常温比导通电阻，而是把短路、雪崩、体二极管软度和封装热阻放进同一轮评估。

工程师可抓的 3 个决策点

1. 换代先看失效模式，再看 R_sp：文中第四代 PG4E 的 1200V 规格常温 R_sp 为 2.2 mΩ·cm²、175℃ 为 4.4 mΩ·cm²，并给出约 2.1 μs 短路耐受和近雪崩 1400V 偏置；第五代把常温 R_sp 降到 1.9 mΩ·cm²，同时把反向恢复电流和软度因子作为 EMI 指标；第六代再降到 1.7 mΩ·cm²，并声称可支撑 200–225℃。三代表的不是同一张选型表。
2. 电压档跟母线走，不要用 1200V 习惯套固态变压器：1500V/1700V 被放在 1000V 以上主驱并做短路增强；2300V/3300V 面向固态变压器，终端结构按抗界面电荷来写。母线、短路时间和终端工艺要分列，不能只升一个耐压数字。
3. 同一颗芯片换封装，电流能力会变：文中称同一封装下由第四代换到第五代，模块输出电流可从 450A 提到 540A；DeepXE 把杂散电感压到 0.9 nH、热阻降约 15%，但全链路工业化验证排到明年上半年。EZ 系列用扩散焊把结壳热阻降约 18%、满载结温降 25℃ 以上。送样和 AVL 可买不是同一窗口。

原文：https://design.eccn.com/design_2026101812042727.htm

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本稿为资讯摘要；芯片代际、短路时间与模块量产节奏以原文及厂商披露为准。