WS3A020065J

替代同类产品规格

• 硅快恢复 / 超快恢复二极管（FRD）650V~1200V 续流位（参数级对照，需按应用复核）
• 同电流档进口 SiC 肖特基二极管（第二货源评估，支持按项目对照选型）
• 硅 PN 整流管高频位改型（开通损耗与 EMI 改善评估）

功能

碳化硅（SiC）肖特基二极管，中科院第55研究所 / CETC 第三代平面肖特基技术。零反向恢复电流、零正向恢复电压，正向压降呈正温度系数、并联不易热失控，开关行为基本与温度无关；用于 PFC 升压续流、高频整流与逆变续流位时，可显著降低开通损耗与 EMI，并减小散热器体积。

主要参数（典型值，以规格书为准）：
• VRRM / VR = 650 V（TC=25℃）
• IF = 25 A（TC≤135℃）；20 A（TC≤147℃）
• IFSM = 170 A（tp=8.3 ms，半正弦）
• QC 总电容电荷 = 40 nC
• VF 典型 1.4 V（最大 1.7 V）
• IR 典型 2 µA（最大 10 µA）
• 工作结温 −55℃ ~ +175℃
• 封装：TO-263-2

配套优势：对齐主流开关电源、UPS 与逆变器的续流/整流位需求，材料与阻断能力不妥协；不必为进口品牌溢价买单，可按项目调整包装、标识与交付批量；支持样品小批量、打样与交期协同，适合做进口料号的第二货源评估与成本优化。

品质与材料：SiC 肖特基结构，无少子存储电荷，反向恢复损耗基本为零；符合 RoHS；规格书可下载，选型与验证请以规格书实测条件为准（不作免验证直接互换承诺）。

应用行业及产品

• 开关电源 · 高频整流与续流
• 功率因数校正 PFC · 升压二极管位
• 电机驱动与光伏逆变 · 续流与辅助整流