WM2HA020120K

替代同类产品规格

• 硅超结 / CoolMOS™ 类 600~650V MOSFET（选型参考，支持按应用复核）
• IGBT 中高压功率级（高频化与效率升级评估）
• 同档进口 SiC MOSFET（第二货源评估，参数级对照）

功能

N 沟道碳化硅功率 MOSFET，中科院第55研究所 / CETC G2 MOSFET 技术。高阻断电压配合低导通电阻，开关速度快、结电容低，易于并联与驱动；相较硅 IGBT 与超结 MOSFET，可提高开关频率、缩小磁性件与散热器，提升系统效率与功率密度。

主要参数（典型值，以规格书为准）：
• VDS = 1200 V
• RDS(on) 典型 20 mΩ
• ID@25℃ = 100 A
• VGS 绝对最大 −10/+23 V；推荐工作 −5/+18 V
• QG 典型 217 nC
• RthJC 典型 0.29 ℃/W
• 结温范围 −55℃ ~ +175℃
• 封装：TO-247-3

配套优势：对齐主流光伏/储能、车载充电与工业电源的功率级需求，阻断与开关性能不妥协；不必为进口品牌溢价与交期波动买单；支持样品小批量、打样与项目一对一跟进，适合电源与逆变器客户做效率与功率密度升级试点。

品质与材料：SiC 材料体系，高温特性稳定、体二极管反向恢复电荷远低于硅超结；符合 RoHS；驱动电压、栅极电阻与热设计请按规格书条件实测验证（不作免验证直接互换承诺）。

应用行业及产品

• 新能源发电 · 光伏/储能变流器功率级
• 电动汽车充电 · 车载充电机 OBC、直流充电桩
• 高压 DC/DC 变换器 · 隔离与非隔离功率级
• 开关电源 · 中大功率 PFC 与主开关