IPP60R099C7

产品描述与特性

IPP60R099C7 是英飞凌（Infineon）CoolMOS™ C7 系列的 N 沟道、增强型、超结（Superjunction, SJ）结构功率 MOSFET。
一、结构与类型
沟道类型：N 沟道（N-Channel）
工作模式：增强型（Enhancement Mode）
工艺结构：超结（Superjunction, SJ）（非平面 / 沟槽）
系列：CoolMOS™ C7（第六代超结技术）
封装：TO-220-3（直插）
二、核心参数（25℃，典型 / 最大值）
1. 极限电气参数
漏源耐压 VDSS：600V
栅源耐压 VGS：±20V
连续漏极电流 ID：12A@TC=25℃
脉冲漏极电流 IDM：83A
单脉冲雪崩能量 EAS：97mJ
总耗散功率 PD：110W@TC=25℃
工作结温：-55℃ ~ +150℃
2. 静态导通特性
栅极阈值电压 VGS (th)：3.5V（典型）
导通电阻 RDS (on)：
典型 99mΩ @ VGS=10V, ID=10A
最大 115mΩ @ VGS=10V
3. 开关动态参数
总栅极电荷 Qg：42nC @ VGS=10V
输入电容 Ciss：1819pF @ VDS=400V
输出电容 Coss：33pF @ VDS=400V
上升时间 tr：8ns
下降时间 tf：4.5ns
三、主要特点
超结结构：大幅降低高压 MOSFET 的导通电阻。
低损耗：优秀的 FOM (Rds(on) × Qg / Rds(on) × Eoss)，适合高频硬 / 软开关（PFC、LLC）。
高 dv/dt 耐量：120V/ns。
工业级认证：符合 JEDEC 标准。
四、典型应用
开关电源（PFC、LLC）
服务器 / 电信电源
太阳能逆变器
工业电机驱动
照明电子