WM3HA330090E

替代同类产品规格

• 硅超结 / CoolMOS™ 类 800~900V MOSFET（选型参考，支持按应用复核）
• 同类需 ± 驱动的 SiC MOSFET（改用 15V/0V 简化驱动）
• Infineon CoolMOS™ C7/P7 等中功率 PFC/SMPS 功率管（参数级对照）

功能

N 沟道碳化硅功率 MOSFET（中科院第55研究所 / CETC G3 技术）。与多数需负压关断的 SiC MOSFET 不同，本器件支持 15V / 0V 栅极驱动，兼容常见反激控制器与硅超结（CoolMOS™ 类）驱动习惯，便于在 PFC、反激/正激适配器、高压 DC-DC 等场景做硅→SiC 升级或第二货源评估。

配套优势：对齐主流 650~900V 开关电源应用，材料与阻断能力不妥协；无需负压关断电源，驱动 BOM 更简、改造成本更可控；小批量打样与项目跟进灵活，适合电源厂做效率与功率密度升级验证。

主要参数（典型值，以规格书为准）：
• VDS = 900 V
• RDS(on) 典型约 330 mΩ（VGS=15V, ID=5A）；约 250 mΩ（VGS=18V, ID=5A）
• ID@25℃：约 11 A（VGS=15V）/ 12.5 A（VGS=18V）
• VGS(th) 典型约 3.2 V（2.4~4.0 V）
• 推荐工作栅压：关断 −5…0 V，开通 +15…+18 V（规格书明示 15V/0V 可兼容多数反激控制器）
• 封装：TO-252-2L；结温 −55℃ ~ +175℃
• QG 典型约 6.3 nC；开关损耗低、易并联

相对硅超结 / CoolMOS™ 的选型要点：
• 优势：开关损耗与 Qrr 更低，利于提高开关频率与功率密度；高温导通特性更稳；体二极管恢复电荷远小于硅超结，硬开关/桥式场景更友好；器件成本逐步接近同档硅方案时，系统级散热与磁性件可再省成本。
• 注意：体二极管正向压降通常高于硅 MOSFET，同步整流或续流路径需按拓扑复核；半桥等高 dv/dt 场合若用 0V 关断，仍需注意布线寄生与米勒效应，必要时可加负压或有源米勒钳位；同档绝对 RDS(on) 选型要以温升与损耗预算为准，不宜仅按室温阻值直接互换。

应用行业及产品

• 开关电源 / 适配器 · PFC、反激与高压 DC-DC
• 照明与显示电源 · LED/LCD/PDP TV、监视器照明电源
• 工业电源与充电 · 中小功率电源模块、OBC/辅助电源链路评估