WMH002M330G1A

替代同类产品规格

• 同类 3300 V 级 SiC 功率模块（选型参考）
• 进口同拓扑 SiC 模块（第二货源评估）

功能

CETC / 中电国基南方（55所）碳化硅功率模块，半桥模块，封装 XHP。N 沟道 SiC Power MOSFET 模块，规格以最新 datasheet 为准。

配套优势：对齐电机驱动、光伏、充电机、UPS 等主流高压功率场景，陶瓷基板与 Press-FIT / NTC 等规格可验证；可按项目提供选型对照、小批量打样与交期协同，控制 BOM 成本。

主要参数（典型值，以规格书为准）：
• VDS = 3300 V
• RDS(on) 典型 = 1.5 mΩ（Tj=25℃）
• ID = 1000 A（TF=65℃）/ 2000 A（TF=25℃，规格书条件）
• 推荐栅压：约 −5 / +18 V（绝对最大约 −10 / +23 V）
• 结温：约 −40/−55℃ ~ +175℃（见规格书）
• 特点：低杂感结构、易并联易驱动、集成 NTC、AlN 陶瓷基板

应用行业及产品

• 牵引驱动
• 大功率变换器
• 高频开关应用