600V 超结 MOSFET：体二极管与顶部散热比 RDS(on) 更早卡点

资讯编辑 987 2026-09-10 10:55:49

行业快讯 · 来源：电子发烧友（原文：αMOS E2™ 600V 超结 MOSFET，顶部散热与增强型体二极管）

AOS 推出 600V 超结平台顶部散热新品，面向服务器/电信整流、太阳能逆变、电机驱动与工业电源，并点名兼容升压 PFC、图腾柱 PFC慢桥臂、LLC、移相全桥等拓扑。卖点除功率密度外，还包括增强型体二极管——硬开关续流与恢复尖峰场景下，体二极管特性往往比标称 RDS(on) 更早卡住温升与 EMI。

工程师可读法：评估 650V 硅超结 vs SiC/GaN 时，把体二极管 Qrr、封装散热路径与拓扑角色（快桥臂/慢桥臂）写进对照表，而不只比 25℃ 导通电阻。

原文：https://www.elecfans.com/d/8304691.html

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本稿为资讯摘要；料号与封装以原文及厂商规格书为准。

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