电源全链路：从 DrMOS 到高耐压 SiC，卡点常在驱动与采样

资讯编辑 977 2026-09-10 10:55:49

行业快讯 · 来源：半导体器件应用网 / 哔哥哔特（原文：从 20A DrMOS 到高耐压 SiC，罗姆如何打通电源全链路）

低电压大电流负载（车载 SoC/GPU）与高压侧（主驱、光伏、储能、电网、800VDC AI 供电）同时加压频与损耗要求。文中强调：SiC/GaN「更快」不等于系统更高效——驱动、控制、保护、散热与采样任一环掉队，器件性能兑现不了。展示重心是把功率、控制与分流采样串成完整技术链，而非单颗新品。

工程师可读法：做 800V / 光伏储能或 AI 机柜供电评估时，把开关管与驱动/采样方案放进同一验证包；国产第二货源 SiC 也可按「全链路」而不是「单料号」对照。

原文：https://ic.big-bit.com/news/406031.html

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本稿为资讯摘要；与 9/6 罗姆媒体会稿角度不同（全链路 vs 双轮驱动叙事）；产品名称为原文表述。

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