碳化硅超级结：比导通电阻落到 1.27 mΩ·cm² 后先核这三件事

资讯导读 · 来源：中电网（原文：碳化硅超级结 MOSFET 产品发布）

报道称瑶芯微与郝跃院士团队、芯联集成协同，把碳化硅超级结 MOSFET 从实验室做到可发布的产品：耐压 1635V，室温比导通电阻 1.27 mΩ·cm²、175°C 为 1.5 mΩ·cm²；并称 25°C 到 125°C 导通电阻零温漂，175°C 温度系数小于 1.2 倍，对照平面或沟槽技术常见的约 1.8–2.2 倍。对选型有用的不是「首款」称号，而是超级结改变了 1200V 档里 R_sp 和温升的对照方式。

工程师可抓的 3 个决策点

1. 比导通电阻要换算到芯片面积和热阻：R_sp 下降通常意味着同一 R_DS(on) 下芯片更小，短路耐量与结到壳热阻未必一起变好。对比先锁电压档和封装，再谈代际。
2. 用最高结温下的导通损耗，不用室温标称：报道给出的零温漂只到 125°C。损耗计算应取到实际结温，并核对 175°C 温度系数是实测还是目标值。
3. 电场分担不替代动态可靠性：P/N 柱把高压摊开之后，主通道可以不必收窄。量产一致性、动态反偏和栅极窗口仍要按现有平面或沟槽器件的台架复核，BFOM 不能单独当准入条件。

原文：https://news.eccn.com/news_2026092720553683.htm

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