功率嵌进硅晶圆：EPP 之后分立器件清单还够用吗
资讯编辑 1349 2026-09-20 12:23:34
资讯导读 · 来源：电子发烧友（原文：功率芯片，直接嵌入硅晶圆？）
报道称安森美发布嵌入式电源平台（Embedded Power Platform，EPP）：把硅晶圆本身当作封装载体，让封装工序从后道装配前移到晶圆厂；结构描述为「异构裸片嵌入硅中，经晶圆级重布线层（RDL）互连」。官方称功率密度可达现有方案的约 3～5 倍，开发周期最快可缩短至约四个月，并计划向汽车与 AI 领域战略客户送样。
工程师可抓的 3 个决策点
- 先分清「单管 / 模块 / 嵌入硅」三条评估路径：EPP 不是换一颗 MOSFET 料号，而是互连寄生、散热路径与隔离实现方式一起变——BOM 与验证包不能照搬分立器件清单。
- 寄生电感与开关频率要同表复核：晶圆级 RDL 的卖点是压低寄生、支撑更高 fsw；评估第二货源或现有宽禁带方案时，仍要用双脉冲/热阻把 di/dt 与结温写进同一轮台架。
- 送样窗口 ≠ 产线可买：战略客户送样阶段，量产交期、封测产能与安规文件往往不同步；系统项目仍要保留可落地的 650V/1200V 分立或模块备选。
原文：https://www.elecfans.com/d/8341927.html
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本稿为资讯摘要；平台指标与送样节奏以原文及厂商披露为准。
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