100V 双向氮化镓：370A 是脉冲，5V 栅压别套半桥钳位

资讯编辑 2494 2026-10-21 09:07:45

行业快讯 · 来源：充电头网（原文：晶能微布局氮化镓，双向GaN器件亮相）

报道介绍晶能微 GE030E10VFQ：硅基氮化镓增强型 HEMT，单栅双漏，关断时可双向阻断，封装 FCQFN 4×6mm。最大双向耐压 100V；5V 栅压下典型导通电阻 2.3mΩ、最大 3mΩ；25℃ 脉冲漏极电流标称 370A；50V 下典型栅电荷 70nC、输出电荷 65nC。配套低侧驱动 GE1011SD（SOP-8）面向 40～120V 双向 GaN，栅极驱动 5V，静态电流 8µA，CHG/DSG 输入最高 20V，并称可并联多颗功率管。目标是 BMS 充放电路径、高边负载开关和电源切换，用来替代背靠背 MOSFET。

工程师可读法：370A 是脉冲电流，持续电流仍要按封装热阻和铜皮降额。5V 栅压窗口也不能照搬 650V 增强型 GaN，或半桥自举里常见的 6V 钳位习惯。少用一颗 MOSFET，并不取消对关断串扰和采样电阻布局的复核。

原文：https://www.chongdiantou.com/archives/1792493640813.html

相关阅读

本稿为资讯摘要；耐压、电阻与电流以厂商规格书及实测结温为准。

标签：
上一篇: 第三代半导体和硅基器件有何区别？SiC与GaN场景适配
相关文章

热门标签