2300V 全桥碳化硅：8mΩ 样品还没等于做完加严试验

行业快讯 · 来源：Convertronic（转述纳微 2026-10-21 对 G4H08MT23GB4 系列的配置说明）

纳微把 2300 V、8 mΩ 全桥碳化硅模块 G4H08MT23GB4 的订货配置写全：SiCPAK 封装，第四代 GeneSiC 沟槽辅助平面（TAP）结构，面向固态变压器、电网级储能、光伏逆变和兆瓦级充电。四种样品现可申请——标准压接或大电流压接，各有一版可选预涂导热界面材料。大电流压接的单针载流能力约为标准压接的两倍。

结构侧写了氮化铝 AMB 基板，绝缘能力超过 5 kV；环氧灌封的导热相对硅凝胶约高一个数量级，用来降内部应力并挡潮气。可靠性叙事是内部的 AEC-Plus：在 AEC-Q101 / JEDEC 之外加动态反偏、动态栅极开关，并把部分高温高压静态试验时间拉长到三倍以上，另有高压高温高湿。公告用的是「将按该基准考核」，送样不等于这些加严项目已经做完。开关评估可另申请双脉冲板 EVB-UHVSIC-GB-E-DPT-1。母线用不到 2300 V 时，仍应先对 1200 V 分立或模块算电压应力，而不是为了低导通电阻上探耐压。

原文：https://www.convertronic.net/zh-cn/半导体/其他半导体/navitas-sic-modules-2300v-8-mohm-g4h08mt23gb4.html

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本稿为资讯摘要；耐压、导通电阻与可靠性进度以原厂规格书及试验报告为准。