气相高选择性刻蚀首台付运：脉冲气体和基座温控分开看

资讯编辑 2589 2026-10-23 09:08:09

行业快讯 · 来源：SEMI 大半导体产业网（综合报道，2026-10-22）

中微公司宣布，Primo Domingo 气相高选择性刻蚀设备的全球首台机已付运给国内一家集成电路研发制造客户。厂商说明里，和工艺直接相关的是三件事：全对称腔体和流场，用来保刻蚀均匀性和重复性；集成气柜缩短气体注入距离，便于更快地做脉冲气体控制；双制冷 / 双加热晶圆基座，把温度窗口拉开。腔体还用了耐高活性气体的管路和涂层。传输沿用已量产的 Primo C6V3，主刻蚀腔可以搭配辅助退火腔。

这是一台设备交付，不是产线产能或器件交期。65 纳米到 3 纳米、以及存储器超高深宽比刻蚀的覆盖范围，是厂商对既有刻蚀产品线的表述，不能当成这台首机已经在那些节点上量产的证据。工艺窗口仍以客户导入时的均匀性、选择比和颗粒数据为准。

原文：https://www.semi.org.cn/site/semi/article/876a72b271b8418ebe452d1c3b3d8687.html

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本稿为资讯摘要，非全文转载；设备配置与工艺覆盖以厂商说明及客户导入结果为准。

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