GaN一级代理商嘉威创盈｜650V GaN FET：TP65H035G4WS 在 150°C 典型 72mΩ

嘉威创盈为 GaN 功率器件一级代理，可协助选型、规格书版本归档、样品小批量与交期。

650V SuperGaN 封面上的毫欧数是 25°C 动态导通电阻。TP65H035G4WS 典型 35 mΩ、最大 41 mΩ；TP65H050G4WS 典型 50 mΩ、最大 60 mΩ；TP65H150G4PS 典型 150 mΩ、最大 180 mΩ。三行都在 V_GS=10V。结温到 150°C、同一偏置下，典型值分别是 72 mΩ、105 mΩ、307 mΩ。热点损耗用这一行。

25°C 毫欧怎么做功率分流，已经写在 图腾柱 PFC 和 适配器档。10V 栅与碳化硅 15V 的对照见 10 月 15 日。栅阻、磁珠和 0V 关断见 10 月 6 日。本文只列热点导通电阻、结壳热阻和 100°C 连续电流。

150°C 动态导通电阻与热阻

把表里的典型值相除：72/35≈2.06，105/50=2.10，307/150≈2.05。这是读者自己做的算术，规格书没有给出温度系数。三行都注明是动态 R_DS(on)，并写明量产 100% 测试。

结壳热阻和连续电流各自独立取值。R_θJC 典型值是 0.8、1.05、1.5 °C/W。T_C=100°C 的连续漏极电流是 29A、22A、10A，对应 25°C 的 46A、34A、16A。最大耗散功率（T_C=25°C）是 156W、119W、83W。这三组数字分别来自各自分规格书，不能拿 35:50:150 去缩放热阻或电流。

结到环境热阻也不在同一条测试说明上。035 与 050 只写典型 40 °C/W。150 的典型值是 50 °C/W，热阻表附注为：单层环氧 PCB、源极连接、垂直放置、无强迫风冷、铜面积 6 cm²、铜厚 70 μm。TO-247 两份规格书没有这段基板说明。

035 与 050 的连续电流注记指向规格书第 3 页的电路实现。大电流外围以那一页和 10 月 6 日栅极文 为准，本文不重列栅阻。

上板前先核对这 6 项

1. 温度行：导通损耗用 T_J=150°C 的典型动态导通电阻，72 / 105 / 307 mΩ。封面 35 / 50 / 150 mΩ 是 25°C。
2. 最大值：25°C 最大值为 41 / 60 / 180 mΩ。150°C 行只有典型值。
3. 电流条件：导通电阻测试电流是 30A / 22A / 10A，偏置都是 V_GS=10V。连续电流另看绝对最大额定：T_C=100°C 为 29A / 22A / 10A。
4. 热阻：R_θJC 典型 0.8 / 1.05 / 1.5 °C/W。R_θJA 的基板条件只写在 TP65H150G4PS 上。
5. 版本：035 为 v3.6（2024-01-08），050 为 1v1（2022-03-06），150 为 Rev.3.00（2025-11-25）。下单前以产品页 PDF 为准。
6. 样品：规格书在产品页下载。版本归档、样品小批量与交期请联络嘉威创盈，台架通过后再冻结 BOM。

资料与询价

• TP65H035G4WS（规格书）
• TP65H050G4WS（规格书）
• TP65H150G4PS（规格书）

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