GaN一级代理嘉威创盈｜SuperGaN 栅极按 0V 关断：TP65H035、TP65H050、TP65H150 外围怎么分
嘉威创盈为 GaN 功率器件一级代理，可协助选型、规格书版本归档、样品小批量与交期。
板上若已为碳化硅 MOSFET 准备负压关断，不能默认接到这三颗 650V SuperGaN。TP65H035G4WS、TP65H050G4WS、TP65H150G4PS 都是常闭共源共栅：高压 GaN HEMT 加一颗低压硅 MOSFET。三份规格书的栅源绝对最大都是 ±20V；阈值都写成最小 3.3V、典型 4V、最大 4.8V，但测试电流不同（035 为 1mA，050 为 0.7mA，150 为 5mA）。导通电阻栏的偏置是 VGS=10V，不是负压。
按导通电阻分功率档的对照已经写过：无桥图腾柱 PFC、适配器 150mΩ 档。本文不重写那张表，只回答栅极回路该抄哪一颗规格书。
栅极回路按型号抄，不要按“同是 650V”抄
| 型号 | 规格书写明的驱动口径 | 栅极外围（只取该份规格书） | QG 典型 | 封装 | 产品页 |
|---|---|---|---|---|---|
| TP65H050G4WS 规格书 1v1，2022-03-06 | 原文：Recommended gate drive (0V, 12V)，RG=30Ω。开关时间表是另一行：VGS 0→10V、Rg=45Ω、ID=22A。 | 磁珠 200–300Ω@100MHz。母线 RC 吸收写明需要 [4.7nF+8Ω]×2，靠近漏极。开关节点吸收仅在 RG 小于推荐值时才需要。 | 16nC（最大 24nC） VDS=400V，VGS 0→10V，ID=22A | TO-247，源极散热片，引脚 G-S-D | 427 |
| TP65H035G4WS 规格书 v3.6，2024-01-08 | 没有与 050 相同的 “(0V, 12V)” 推荐句。硬开关外围表把关断栅阻写成 30Ω，驱动器写 Si823x/Si827x 或同类。开关时间测试为 VGS 0→12V、RG=30Ω、ID=32A。 | 单电阻：RG(OFF)=30Ω。双电阻 15Ω/30Ω，或等效 10Ω/30Ω。磁珠 180–270Ω@100MHz。栅源电阻 10kΩ。母线 [4.7nF+5Ω]×2 或 [10nF+2.3Ω]。同一张表把工作频率写成 <100kHz。 | 22nC VDS=400V，VGS 0→10V，ID=32A | TO-247，源极散热片，引脚 G-S-D | 12 |
| TP65H150G4PS 规格书 Rev.3.00，2025-11-25 | 没有与前两颗同格式的推荐栅阻表。开关时间测试条件是 VGS 0→12V、RG=70Ω、磁珠 240Ω@100MHz、ID=10A。70Ω 是测试条件，不是设计推荐值。 | 不要把 035/050 的 30Ω 直接焊上，也不要把 70Ω 当成推荐栅阻。栅阻、磁珠和吸收以台架加上该型号应用笔记收口。 | 8nC VDS=400V，VGS 0→10V，ID=10A | TO-220，源极散热片，引脚 G-S-D | 852 |
035 那一行 <100kHz 只属于 035 的硬开关外围表，不是 050 或 150 的开关频率上限。设计频率高于该行时，不要默认同一套栅阻和吸收仍然适用。
反向恢复电荷也不要互抄。035 在 IS=32A、VDD=400V、di/dt=1000A/µs 下 QRR 典型 0nC，并注明不含 QOSS。050 在 IS=22A、VDD=400V 下 QRR 典型 120nC。150 写成反向恢复电荷可忽略，电气表没有与前两颗相同的 QRR 数值行。
散热片接的是源极
三颗订购信息的封装配置都是 Source。035 与 050 是 3 引脚 TO-247，150 是 TO-220，引脚都是 G-S-D，散热片接源极。若按漏极散热片的硅管去配绝缘垫，栅极回流路径和爬电都会偏。这不是免验证互换。
上板前先核对这 7 项
- 关断电平：现有驱动是 0V 关断，还是碳化硅那路负压。这三颗绝对最大 ±20V，不要停在极限附近。
- 开通偏置：导通电阻数据在 VGS=10V。050 明确推荐 (0V, 12V)。035、150 的开关时间测试也从 0V 到 12V，但 150 没有推荐栅阻表。
- 栅阻与磁珠：只抄该型号规格书。050 的推荐 RG 与其开关时间测试电阻不是同一行。
- 035 的频率行：硬开关外围表写 <100kHz。更快的设计要重核栅阻、母线吸收和开关节点吸收。
- 150 的 70Ω：只作开关时间测试条件。设计值另测，不从 TO-247 两颗平移。
- 关断尖峰：对照该型号自己的 VDSS(TR) 条件。035 非重复 800V 对应尖峰 <30ms，重复 750V 对应 <5µs；050 的 800V 要求占空比 <0.01 且尖峰 <30µs；150 的 800V 为非重复、尖峰 <30µs。不要合成一个“都能扛 800V”。
- 样品与版本：规格书在产品页可下载。版本归档、样品小批量与交期请联络嘉威创盈，台架通过后再冻结 BOM。
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