8×8 双面散热 650V GaN：占板缩小之后先核哪三件事

资讯导读 · 来源：电源网（原文：瑞萨推出 8mm×8mm 双面散热 650V GaN，面向兆瓦级 AI 数据中心）

2026 年 9 月 30 日，瑞萨宣布 D-Mode GaN TP65H020G4PLSGBD 已向主要 AI 数据中心 OEM/ODM 送样：650V、典型导通电阻 20mΩ，封装为 8mm×8mm 双面散热 PQFN，支持最高约 700V 工作。相对 10mm×15mm 的 TOLT，占板面积缩小约 57%，顶部热阻降低约 10%。目标位置是把 800V 降到 48V、12V 或 6V 的中间母线，以及侧挂电源架中的电池备份单元和电容组单元。由 RA6T3 控制的 6kW、800V 转 48V LLC 直流变压器参考设计，功率密度约 2.6kW/in³，满载效率比同等 TOLT 板高约 0.21 个百分点。样品现已提供，量产计划在 2027 年年中。

工程师可抓的 3 个决策点

1. 先对母线尖峰，再谈占板：标称 650V、工作电压最高约 700V，站位是 800V 母线之后的 DC/DC，不是前端 AC/DC。开关过冲、布局电感和母线瞬态要放进同一张余量表，不能用「占板小 57%」去替换现有 1200V 器件。
2. 双面散热要改热路径：顶部热阻下降约 10%，热量同时从底部导出。绝缘、铜箔和散热器接触要按双面路径重做。参考设计的效率提升只有约 0.21 个百分点，密度收益必须和温升、满载一起测。
3. 硅栅极驱动能沿用，样品窗口要单列：高阈值、无需负压，可配标准硅栅极驱动，并支持兆赫级开关。现有 TP65H 图腾柱或适配器布局不能当成 20mΩ、8×8 的免验证替换。量产节点在 2027 年中，送样与量产批次要分开跟踪栅极电荷、环路电感和均流。

原文：https://www.dianyuan.com/article/68741.html

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