主吸电机链路：6N 栅驱如何对上双 N MOSFET

行业快讯 · 来源：哔哥哔特商务网（原文：大疆ROMO 2机器人有哪些半导体器件？）

哔哥哔特拆开大疆 ROMO 2 扫地机器人主板。主吸侧的实时控制用中微半导 CMS32M6536E（Arm Cortex-M0+，最高 64 MHz），片上有 6 路增强型 PWM、14 路外部 12 位 ADC、3 路 PGA 和 2 路比较器，并集成 6N 栅极驱动：驱动供电约 5–20 V，高侧浮动端口耐压 200 V。

功率级能看到威兆 VS3622DB 双 N 沟道 MOSFET 共 3 颗，合计 6 只 30 V N-MOS。V_GS=10 V 时两路典型导通电阻约 8.2 mΩ 和 6 mΩ，连续漏极电流规格约 35 A 和 37 A。数量与 6N 栅驱对得上典型三相半桥，原文也写明没有原理图，不能认定具体拖哪一路电机。另有两颗圣邦微 SGM42609 单 H 桥（约 2.7–24 V、1.5 A RMS），面向有刷电机或其他感性负载。

低压无刷把栅驱做进 MCU，控制到功率级的链路会短一截；堵转和采样仍要看片内 PGA 量程、比较器保护是否盖得住。片内放大不够、失调又顶不住时，再考虑外挂零漂移运放做电流采样。

原文：https://www.big-bit.com/news/406081.html

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本稿为拆解摘要；器件对应关系与电气参数以原文及数据手册为准。