户用储能换 1200V SiC：顶部散热封装改了哪几项损耗

资讯编辑 1614 2026-10-01 09:05:52

行业快讯 · 来源：电子产品世界（原文：英飞凌为麦田能源提供碳化硅技术，提升户用储能系统效率）

报道称麦田能源户用储能采用英飞凌第二代 CoolSiC MOSFET 1200V、顶部散热 Q-DPAK，开关损耗降低约 70%。PQ3-Ultra 的光伏逆变器最高并网效率 98.78%，电池充放电最高效率 98.47%。封装侧用 .XT 互连压低热阻和工作结温，沟槽栅用来减开关损耗；相对底部散热，顶部散热更方便把寄生参数和杂散电感从 PCB 布局里挪开，也便于自动贴装。

工程师可读法：户用光储换 1200V SiC 时，先分开记开关损耗、导通损耗和磁件体积，不要把系统效率直接写成器件收益。Q-DPAK 改的是散热面和回路电感，驱动电压、短路保护和并联均流仍要按新封装重测。柏林 HTW 与 AQUU 对 PQ-H3-Ultra-10.0 混合系统给出的 97.0% SPI，只能当作系统榜，不能代替本机台架。

原文：https://www.eepw.com.cn/article/202609/483681.htm

相关阅读

本稿为资讯摘要；效率与损耗降幅以原文及整机测试为准。

标签：
上一篇: 第三代半导体和硅基器件有何区别？SiC与GaN场景适配
下一篇: 1400V 主驱 SiC 上车：击穿余量、均流和杂感要一起看
相关文章

热门标签