1400V 主驱 SiC 上车：击穿余量、均流和杂感要一起看

资讯编辑 1606 2026-10-01 09:05:52

行业快讯 · 来源：半导体产业网（原文：芯粤能、芯聚能第二代车规 SiC 主驱芯片模块实现上车）

2026 年 9 月 24 日消息：芯粤能与芯聚能的第二代 1400V 车规 SiC MOSFET 芯片加功率模块已量产上车，面向 900V 及以上电驱平台。芯片按 1400V 原生设计，击穿电压典型值约 1700V，完成约 2000 小时高温偏置应力考核，比导通电阻较上一代下降约 29%。封装侧采用多芯片并联与均流，并压低杂散电感和热阻。

工程师可读法：电压余量、比导通电阻和模块杂感是三张表。1400V 器件服务的是 900V 母线尖峰，不是把 1200V 清单直接升一档。比导通电阻下降之后，仍要在模块上复核电流分配、开关损耗和热阻，不能只拿芯片 Rsp 结案。文中第三代「元胞缩小、Rsp 再降 20%」仍是意向定点，和这次量产上车要分开写进 AVL。

原文：https://www.casmita.com/news/202609/24/22949.html

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本稿为资讯摘要；击穿、可靠性小时数与装车范围以原文及车规报告为准。

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