Synergy一级代理商嘉威创盈｜SY2322 / SY2640：探头壳内静态功耗面密度
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高压开关放进探头壳以后，32 通道升到 64 通道，静态功耗往往不是“每通道再交一份电”，而是同一小块面积里热从哪一颗封装散出去。本文只算这一笔：SY2322（32 通道 1:2 MUX，约 5 mW，9.0×9.0 mm QFN）和 SY2640（64 通道，约 10 mW，10.0×10.0 mm BGA）的静态功耗面密度。
移位寄存器装满一次要多久、泄放电阻和钳位怎么分工、32 通道逻辑电平，都已有专文。这里不重算那些表。
先分清：典型静态功耗，不是结温
公开资料里的约 5 mW、约 10 mW 是静态功耗量级。它不含开关损耗，也不能把 40 kΩ 泄放电阻当成一直跨在 ±100 V 上的负载去乘功率——泄放是放掉容性探头上的残压，连续电流以实测 +5 V 电源和高压轨为准。外形面积只用来算面密度，没有 θJA 就不能换成结温。规格书在产品页；页面未挂出时，请联络嘉威创盈索取规格书。
| 摆法 | 通道 / 拓扑 | 静态功耗（资料典型） | 外形面积 | 面密度 | 每通道 | 逻辑 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SY2322 ×1 | 32 通道 1:2 MUX | 约 5 mW | 9.0×9.0 mm = 81 mm² | 5 / 81 ≈ 0.062 mW/mm² | 5 / 32 ≈ 0.16 mW | 1.8 V～5 V CMOS；50 MHz 移位时钟；过温保护 |
| SY2640 ×1 | 64 通道；系列对照为 2:1 MUX | 约 10 mW | 10.0×10.0 mm = 100 mm² | 10 / 100 = 0.10 mW/mm² | 10 / 64 ≈ 0.16 mW | 3 V～5 V CMOS；50 MHz 移位时钟；过温保护 |
| SY2322 ×2 | 64 通道，两颗 1:2 MUX | 约 5 mW × 2 = 10 mW | 81 mm² × 2 = 162 mm² | 10 / 162 ≈ 0.062 mW/mm² | 仍约 0.16 mW | 两套移位链；逻辑仍是 1.8 V～5 V |
每通道静态功耗两边一样，约 0.16 mW。差别在面积：单颗 SY2640 的面密度大约是单颗 SY2322 的 0.10 / 0.062 ≈ 1.6 倍，封装只从 81 mm² 增到 100 mm²，通道却翻倍。两颗 SY2322 的总毫瓦和一颗 SY2640 相同，热分成两处，外形面积约 162 mm²。
信号范围两边资料都是约 0 V～±100 V，并集成约 40 kΩ 泄放。拓扑以规格书通道图为准：SY2322 写明 1:2 MUX；SY2640 在系列对照里记为 2:1 MUX。系统若要的是 SPST，这条功耗对照不适用。
探头壳里先走哪一颗
壳内面积只够一颗约 10×10 mm、逻辑又是 3.3 V 或 5 V 时，先评估 SY2640，并接受更高的静态面密度，用实测电流和规格书热阻做温升，而不是用 10 mW 直接报结温。
逻辑只有 1.8 V，或壳内更在意把热拆开、并且接受两套移位链时，先留在 SY2322。1.8 V 的 64 通道封装分流另看 SY2642，不在本文展开。
上板前 7 项 Checklist
- 拓扑是 1:2 或 2:1 MUX 吗？若是 SPST，回到 SY2325 / SY2326 那条线，不要用本表的毫瓦数硬套。
- 在预计的逻辑电压和壳内环境温度下，量 +5 V 静态电流，对照约 5 mW / 约 10 mW，不要把典型值当成最大值。
- 发射时的开关损耗、高压轨电流另列一栏。不要把 40 kΩ 泄放按 ±100 V 连续导通去估算功耗。
- 单颗 SY2640 的静态面密度约为单颗 SY2322 的 1.6 倍。探头壳的导热路径是否还盖得住这一处热源？
- 用两颗 SY2322 凑 64 通道时，总静态功耗仍约 10 mW，面积约 162 mm²，热源变成两处，移位链也变成两套。
- FPGA 是 1.8 V 还是 3.3 V / 5 V？SY2640 的逻辑是 3 V～5 V；1.8 V 不要把它当第一候选。
- 两颗都有过温保护。没有规格书里的热阻，就不要写结温。缺 PDF 时请联络嘉威创盈索取规格书。
相关阅读（不重复旧表）
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