GaN一级代理商嘉威创盈｜650V：TP65H150G4PS 按 10V 栅评估，WM3HA160065E 要 15V/0V-嘉威创盈

GaN一级代理商嘉威创盈｜650V：TP65H150G4PS 按 10V 栅评估，WM3HA160065E 要 15V/0V

嘉威创盈 11 2026-10-15 15:40:16

嘉威创盈为 GaN 功率器件一级代理，可协助选型、规格书、样品小批量与交期。

650V 这一档里，适配器常用的 SuperGaN 和反激上的碳化硅 MOSFET 导通电阻都在 150 mΩ 上下，容易被排成「谁更低」。测试条件不是同一套：TP65H150G4PS 的典型 150 mΩ、最大 180 mΩ 写在 V_GS = 10 V、I_D = 10 A、25°C；WM3HA160065E 的典型 160 mΩ、最大 220 mΩ 写在 V_GS = 15 V、I_D = 7 A。碳化硅这颗推荐工作栅压是 +15…+18 V / 0…−5 V。

这篇只回答这个对照。三颗 SuperGaN 的 0V 关断、栅阻、磁珠和开关时间测试条件见 10 月 6 日栅极外围文，这里不重列。图腾柱 35/50 mΩ 分流和适配器七步清单也不重写。

两颗约 150 mΩ：栅压条件不同

型号	导通电阻（规格书）	栅极工作窗口	电流与封装	产品页
TP65H150G4PS 650V SuperGaN cascode Renesas Rev.3.00，2025-11-25	典型 150 / 最大 180 mΩ V_GS=10 V，I_D=10 A，25°C 150°C 时典型 307 mΩ（同一偏置） Q_G 典型 8 nC（0→10 V，I_D=10 A）	导通电阻与栅荷表在 10 V。绝对最大 V_GS ±20 V。常闭共源共栅，不是负压关断器件	TO-220。T_C=25°C 时 P_D=83 W，I_D=16 A；100°C 时 I_D=10 A	852
WM3HA160065E 650V SiC MOSFET，G3 Version 3.0，TO-252-2L	V_GS=15 V、I_D=7 A：典型 160 / 最大 220 mΩ V_GS=18 V、I_D=7 A：典型 130 / 最大 180 mΩ Q_G 典型 12.6 nC（0→15 V，I_D=7 A）	推荐 +15…+18 V / 0…−5 V。绝对最大 −10 / +23 V。规格书写明 15 V / 0 V 可与多数反激控制器配合	P_D=95 W（T_C=25°C，T_J=175°C）。I_D=20 A（V_GS=15 V，25°C），100°C 为 14 A	6

TP65H035G4WS 与 TP65H050G4WS 的导通电阻栏同样是 V_GS=10 V（典型 35 / 50 mΩ）。它们的功率分流和图腾柱清单在已发文里；栅极外围不要从本表外推。

不能把 150 mΩ 和 160 mΩ 排成高低

两个典型值大约差 10 mΩ，一个在 10 V、10 A，一个在 15 V、7 A。碳化硅升到 V_GS=18 V 时典型值降到 130 mΩ，仍然不是和 10 V 的 GaN 数据做免验证替换的依据。GaN 这颗在 150°C、同一 10 V 偏置下典型值升到 307 mΩ，热点也要单独留。

驱动轨跟着器件走。给 SuperGaN 用的 10 V 至 12 V 开通，还没有落到 WM3HA160065E 的 +15…+18 V。反过来说，为碳化硅准备的负压关断也不能默认接到这颗 cascode 上；0 V 关断和栅阻怎么抄，以 10 月 6 日那篇为准。低侧驱动单路正压与 1200 V 碳化硅的 −5 V / +18 V 是另一问，见 COS4421SR 与 WM2HA020120L。

拓扑入口

适配器、低功耗 SMPS、照明：TP65H150G4PS 适配器档。那 7 步不在这里重列。
无桥图腾柱：TP65H035 / TP65H050。
反激钳位、体二极管与 TO-252 热路：WM3HA160065E 反激文。
PFC 续流二极管位是碳化硅肖特基，不是这两颗开关。见 WS4A020065K / WS4A020065A（7 / 8）。

上板前 6 项

先对测试条件：只比同一 V_GS、同一电流、同一温度。150 mΩ（10 V、10 A）对 160 mΩ（15 V、7 A）不是结论。
开通幅值：GaN 这颗的导通电阻表在 10 V。碳化硅推荐 +15…+18 V。10 V 至 12 V 的 GaN 驱动轨要单独确认能不能给出 15 V 或 18 V。
关断电平：WM3HA160065E 的推荐区间包含 0…−5 V。SuperGaN 按 0 V 关断设计，负压回路不要直接接过去。栅阻与磁珠见 10 月 6 日文。
封装：TO-220 对 TO-252-2L。孔距、绝缘和散热器不共用。上表的 P_D 与 I_D 各跟各的条件。
动态导通电阻与版本：TP65H150 按动态 R_DS(on) 做量产测试，高温典型值用 307 mΩ 那一行。碳化硅为 Version 3.0。下单前以产品页 PDF 为准。
样品：规格书在产品页下载。归档版本、样品与交期联络嘉威创盈，台架通过后再冻结 BOM。