800V 直降 6V：拿掉中间母线后先核堆叠半桥

行业快讯 · 来源：TechNews 科技新报（原文：Microchip、纳微推 800V 转 6V GaN，直攻 GPU 板端供电）

10 月 6 日报道称，Microchip 与纳微合作的参考设计把机柜侧 800V 直流一次降到 6V，不再走「800V 到约 50V、再降到 6V」两级，好让电源更靠近 GPU 板端。电源板一次侧用 16 颗纳微 NV6034 GaNFast FET，规格为 650V、17mΩ，采用堆叠半桥和 DFN 8×8 双面散热封装。设计目标是 1MHz 开关、满载峰值效率最高约 96%，功率密度 2100W/in³。控制侧用 dsPIC33AK，并搭配 TA100 做安全启动、固件更新和身份校验。该参考设计提供硬件、软件和设计文件，并将于 10 月 12 日至 15 日在圣何塞 OCP Global Summit 展出。

工程师可读法：拿掉 48V/50V 中间级之后，堆叠管的电压应力、均流和 1MHz 下的磁件损耗要在同一轮双脉冲里看完。报道中的效率是设计目标，不是已在你的母排和热阻下复现的数字。650V 器件承担 800V 母线必须靠堆叠和降额，不能按单管耐压直接上母线。

原文：https://technews.tw/2026/10/06/microchip-navitas-800v-6v-gan-solution-gpu-board-power-supply/

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本稿为资讯摘要；效率、功率密度与展出安排以原文及厂商参考设计文件为准。