100V 增强型氮化镓：48V 母线先别照搬 650V 栅极

资讯快讯 · 来源：瑞萨电子（2026-10-06）

瑞萨把氮化镓产品线下探到 100V 增强型（常关）分立管，型号包括 RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL，以及带双面散热后缀的 RTP100E1P8G1FL-DSC、RTP100E1P2G1FL-DSC。导通电阻覆盖约 1.2 mΩ～5 mΩ，封装按硅 MOSFET 占地来做，目标是 AI 电源的同步整流与多相降压、人形机器人关节、工业电机、电动工具和光伏微型逆变器。

官方对比同类氮化镓：硬开关优值最高可低约 35%，软开关优值最高可低约 63%；相对硅基设计，开关损耗降幅写到约 40%～70%，效率提高约 1～3 个百分点，并强调反向恢复电荷约为零。背景是 800V 配电之后，48V 母线后级有往兆赫兹靠的趋势，用来换磁件体积。

选型时把电压级分开：100V 增强型对准 48V 母线和关节电调，不能拿去替代 650V 图腾柱或 1200V 前级。封装脚位接近硅管，也不等于栅极窗口和环路电感可以照搬；增强型过压余量通常更窄，换管后要重测栅极过冲。样品和评估板已提供，第二货源仍要按硬开关、软开关两条曲线各自建档。

原文：https://www.renesas.cn/zh/about/newsroom/renesas-expands-gan-portfolio-first-low-voltage-gan-fets-ai-data-centers-and-robotics

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本稿为资讯摘要；优值与损耗降幅以厂商对比口径为准，落地以规格书和双脉冲为准。