650V GaN 改双面散热：800V 中间母线先核哪三件事

资讯导读 · 来源：电子产品世界（原文：瑞萨率先推出业界首款采用 8mm × 8mm 双面散热封装的 650V GaN 器件；中电网同期列入芯品）

报道称瑞萨推出 D-Mode GaN TP65H020G4PLSGBD：650V、典型导通电阻 20mΩ，封装为 8mm × 8mm 双面散热 PQFN，面向 800V HVDC 数据中心。相对 10mm × 15mm TOLT，占板约缩小 57%；顶部热阻约降 10%。目标环节包括 800V 降到 48V / 12V / 6V 的中间母线，以及侧挂机架里的电池备份与电容组。样品已向数据中心 OEM/ODM 提供，量产计划在 2027 年年中。6kW、800V 转 48V 的 LLC 参考设计功率密度约 2.6kW/in³，满载效率比同规格 TOLT 板高约 0.21 个百分点。

工程师可抓的 3 个决策点

1. 先分清母线位置，再谈封装：这颗器件打的是 800V 降到 48V 及以下的中间母线，不是机房前端 AC/DC。BOM 上仍要和 1200V SiC、后端低压同步整流分开列表，不要用一颗 650V GaN 覆盖整条链路。
2. 双面散热改的是热路径，不只是外形：上下同时散热、占板缩小之后，铜皮、过孔和散热器接触面都要重画；只换料号、沿用顶部散热的热阻表，台架结温会对不上。
3. 标准栅极驱动不等于免验证：报道强调高阈值、无需负压、可配硅栅极驱动并支持 MHz。现有 35mΩ / 50mΩ 图腾柱料号的驱动余量、死区和谐振电感仍要按新的 Qg、Qoss 重测，样品窗口也不要写成可下单交期。

原文：https://www.eepw.com.cn/article/202609/483794.htm

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本稿为资讯摘要；热阻、效率与量产时间以原文及厂商披露为准。