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光学 MEMS 模组和压电致动器都是电容负载。板级先分清两件事:高压脉冲由谁产生,以及已经存在的 0~±100V 节点要不要被切到另一路电容。脉冲发生器用 SY5817;1:2 高压切换用 SY2322。两颗都列了光学 MEMS 与压电驱动,封装又都是 9×9 mm 量级 QFN,但不能互换。
本文不重写已发的 32 通道 MUX / SPST 对照(那篇解决成像阵列里 SY2320FN 与 SY2322 的供电架构),也不重写 SY5817 便携多片扩展。参数取自公开规格书,量产以最新规格书与实测为准。
电容致动:产生脉冲,还是切换高压
| 要完成的事 | 角色 | 型号 | 规格书口径 | 产品页 |
| 自己产生三电平高压脉冲,打到压电或 MEMS | 八通道脉冲发生器 | SY5817 | 0~±100V,峰值电流 ±2A;有源 T/R 约 15Ω;逻辑 1.8~5V,时钟可到 200MHz LVDS/LVCMOS;64-QFN 9×9 mm。输出级要高压电源 | 854 |
| 把已有的 0~±100V 模拟节点切到两路电容之一 | 32 通道 1:2 高压模拟开关 | SY2322 | 开关芯片本身仅 +5V,不另备 ±高压开关电源;导通电阻 typ 8Ω(max 10Ω);探头侧泄放 40kΩ(30~50kΩ);GND 钳位导通 typ 35Ω;5MHz、50Ω、CSW=0 时关断隔离 typ −57dB;静态约 5mW;50MHz 移位时钟;64-QFN 9.0×9.0 mm、0.50 mm pitch | 858 |
成像阵列若仍要正负高压开关电源(SY2320 资料示例约 +60V/−60V)和 3.3V 逻辑,走 SY2320FN,不要因为“也是 32 通道”就和 SY2322 共用电源假设。16 通道 SY2162QF 的泄放与钳位已另文说明:SY2162QF 泄放还是钳位。下面只谈 SY2322 接电容致动器。
电容负载上的三笔账
- 电压:致动器峰值是否落在 0~±100V。超出这个窗口,两颗都不要硬套。
- 电流:SY5817 按峰值 ±2A 核对 C·dV/dt。SY2322 不提供脉冲电流额定,它的损耗在约 8Ω 导通电阻上。
- 残压:SY2322 探头侧(SWx,规格书写明接 Probe)有 40kΩ 泄放,另有 CSW 控制的 GND 钳位。规格书在 VLL=3.3V、VDD=5V 下给出 CSW 脉宽下限 10µs,导通/关断 typ 2µs、max 5µs。高阻 MEMS 节点上的尖峰不能直接套 50Ω 负载的 VSPK(CSW=0、导通 typ 40mV)。
选型 Checklist
- 角色:要产生脉冲选 SY5817;要切换已有高压选 SY2322。开关芯片不能代替脉冲发生器。
- 供电:SY2322 的开关电源是 +5V(VDD)加 1.8~5V 逻辑。不要把 SY2320 的 ±高压开关电源套到 SY2322。SY5817 的输出级仍要高压轨。
- 拓扑:SY2322 是 1:2 MUX,Yxx 接 AFE 侧、SWx 接探头/致动器侧。不是 32 路独立 SPST。
- 泄放与钳位:电容上的残压用 40kΩ 泄放还是 CSW 钳位,按放电时间常数和允许的对地电流选,时序以规格书为准。
- 隔离:5MHz、50Ω、CSW=0 的 typ −57dB 只是规格书条件。光学 MEMS 的工作频率若差很远,关断隔离要重测。串扰资料约 −60dB。
- 封装:两颗都是 64 脚 9×9 mm QFN,引脚、高压走线与散热焊盘并不相同,不能按同封装直接替换。
- 样品:规格书见产品页。若下载异常,请联络嘉威创盈索取规格书,并安排小批量与交期。
资料与询价
把现用高压 mux 或脉冲芯片料号、致动器电容和目标电压发给嘉威创盈,可协助规格书确认、选型对照、样品小批量与交期协同。对照须按规格书与板级实测验证。
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