第三代半导体
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车载OBC采用SiC MOSFET,效率提升20%的四个设计要点
随着电动汽车市场的持续扩张,车载充电机(On-Board Charger, OBC)作为连接电网与动力电池的核心部件,其性能直接决定了用户的充电体验和整车能效。近年来,碳化硅(SiC)MOSFET凭借
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HV2701 pin-to-pin 替代选型核心逻辑:3条路径与5步验证流程
HV2701 pin-to-pin 替代方案全解析 HV2701 是什么?为什么需要替代方案? HV2701 是 Microchip Technology(原 Supertex)推出的一款
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9mΩ SiC MOSFET 选型指南:五大应用场景与关键参数对比
在功率半导体领域,导通电阻(RDS(on))是衡量 MOSFET 性能的核心指标之一。随着碳化硅(SiC)材料技术的持续进步,9mΩ 级别的 1200V SiC MOSFET 正在成为高效率电源转换系
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2300V SiC MOSFET 选型与落地:三大厂商方案对比及关键应用场景
碳化硅(SiC)功率器件正在加速从 1200V、1700V 向更高电压等级演进。2024 年以来,Wolfspeed、Infineon、Navitas 等头部厂商密集推出 2300V SiC MOSF
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3300V SiC MOSFET厂商与技术全景:从TAP架构到固态变压器应用
在功率半导体领域,碳化硅(SiC)MOSFET正加速渗透至超高压应用场景。3300V(3.3kV)SiC MOSFET作为继1200V和1700V之后的重要电压等级,正在固态变压器、电池储能系统(BE
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1700V SiC MOSFET选型实战:五大厂商产品参数对比与四大场景适配方案
为什么1700V SiC MOSFET正在成为功率半导体的必争之地 碳化硅(SiC)MOSFET在功率半导体领域的渗透速度远超预期。当1200V器件在车载充电机和光伏逆变器中站稳脚跟后,17