300mm 氮化镓晶圆:单片芯片变多,先别当成交期已经缩短

资讯编辑 2814 2026-10-29 09:09:13

行业快讯 · 来源:国际电子商情(原文:全球首座 300mm 氮化镓量产工厂落地奥地利)

英飞凌宣布在奥地利菲拉赫现有洁净室建设 300mm 氮化镓功率器件量产能力,计划 2027 年底投产。相对 200mm,文中称单片晶圆可切割的芯片数量约为 2.3 倍,意图把氮化镓的芯片成本往硅基方案靠。对选型有用的不是投资额,而是这颗器件什么时候能按新晶圆尺寸稳定供货。

样品和量产要分开写。报道回溯:约两年前已做出 300mm 晶圆,2025 年第四季度才向客户送样。从这次官宣到 2027 年底,中间还要过良率、客户认证和本地配套。文中给出的份额结构也说明货源并不只在这一条产线:英诺赛科约 31%、英飞凌约 16%、Power Integrations 约 14%;代工侧在台积电退出氮化镓之后,格芯、X-FAB、世界先进等仍在扩 200mm。评估第二货源时,把 IDM 的 300mm 爬坡和 200mm 代工产能分开列入 AVL,不要把「晶圆加大」直接写成交期缩短。

原文:https://www.esmchina.com/news/14740.html

相关阅读

本稿为资讯摘要;产能、份额与投产时间以原文及厂商披露为准。

上一篇: 第三代半导体和硅基器件有何区别?SiC与GaN场景适配
相关文章