800V 中间母线：GaN 把 IBC 推到 1 MHz 时先核哪三档

资讯导读 · 来源：国际电子商情（原文：英飞凌与 NVIDIA 合作开发氮化镓电源转换系统，支持 800 VDC AI 数据中心）

报道称英飞凌在 2026 年 10 月深化与 NVIDIA 的合作，焦点放在 AI 数据中心 800 VDC 链路里的高压中间母线变换器（IBC）：用氮化镓把这一级开关频率推到最高约 1 MHz，从而缩小磁件与无源件。GaN 组合被描述为覆盖 800 V→50 V、800 V→12 V、800 V→6 V，并与 PSoC Control C3、EiceDRIVER 组成系统方案。同一组合里仍保留硅与 SiC 的 IBC 选项。此前提到的合作还包括可维护、支持热插拔的 800 VDC 机架。

工程师可抓的 3 个决策点

1. 先锁变压比，再谈「上 800 V」：800 V→50 V 后面往往还要接 48 V 级模块；800 V→12 V / 6 V 更靠近板级母线。匝比、次级同步整流和器件耐压不是同一张 BOM。
2. 1 MHz 先复核磁件和驱动：频率上去以后，平面变压器漏感、板高和栅极环路决定能不能落地。开通速度、误导通和自举过压要单独留台架，不要只引用开关损耗曲线。
3. IBC 不默认全程 GaN：报道同时列出 Si、GaN、SiC 的 IBC 方案。前端固态变压器 / 保护与板级 IBC 的电压、热窗口不同，第二货源和验证包要按级拆开。

原文：https://www.esmchina.com/info/60082.html

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本稿为资讯摘要；转换比、频率与效率以原文及厂商材料为准。