Nhà phân phối cấp 1 GaN — Jarwey｜GaN FET SuperGaN tắt cổng ở 0V: tách TP65H035, TP65H050, TP65H150

Jarwey là nhà phân phối cấp 1 GaN — hỗ trợ chọn mã, lưu phiên bản datasheet, hàng mẫu, số lượng nhỏ và thời gian giao.

Nguồn âm trên cực cổng làm cho MOSFET SiC không được gắn mặc định vào ba GaN FET 650V này. TP65H035G4WS, TP65H050G4WS và TP65H150G4PS là cascode thường đóng: HEMT GaN cao áp nối với MOSFET silic hạ áp. Cả ba datasheet ghi V_GSS = ±20V. Ngưỡng cùng là 3,3V min / 4V typ / 4,8V max, nhưng dòng đo khác nhau (1mA, 0,7mA và 5mA). Dòng R_DS(on) lấy ở V_GS = 10V.

Tách theo điện trở dẫn và mức công suất đã có ở bài PFC totem-pole không cầu và bài GaN 150mΩ cho adapter. Bài này chỉ chỉ rõ vòng cổng phải chép từ datasheet nào.

Vòng cổng: mỗi mã một bộ số

Mã	Datasheet ghi gì	Mạch ngoài cực cổng	Q_G typ	Vỏ	Trang
TP65H050G4WS datasheet 1v1, 2022-03-06	Dòng khuyến nghị: gate drive (0V, 12V), R_G = 30Ω. Hàng thời gian chuyển mạch là hàng khác: V_GS 0→10V, R_g = 45Ω, I_D = 22A.	Hạt ferrite 200–300Ω tại 100MHz. Snubber RC trên DC-link là bắt buộc: [4,7nF+8Ω]×2, sát chân drain. Snubber nút chuyển mạch chỉ khi R_G thấp hơn mức khuyến nghị.	16nC (max 24nC) V_DS=400V, V_GS 0→10V, I_D=22A	TO-247, source tab, chân G-S-D	427
TP65H035G4WS datasheet v3.6, 2024-01-08	Không có câu khuyến nghị “(0V, 12V)” giống 050. Bảng hard-switching ghi R_G(OFF) = 30Ω và driver Si823x/Si827x hoặc tương đương. Phép đo thời gian chuyển mạch: V_GS 0→12V, R_G = 30Ω, I_D = 32A.	Một điện trở: R_G(OFF) = 30Ω. Hai điện trở: 15Ω/30Ω, hoặc hiệu dụng 10Ω/30Ω. Hạt 180–270Ω tại 100MHz. Điện trở gate-source 10kΩ. DC-link [4,7nF+5Ω]×2 hoặc [10nF+2,3Ω]. Cùng bảng ghi tần số làm việc <100kHz.	22nC V_DS=400V, V_GS 0→10V, I_D=32A	TO-247, source tab, chân G-S-D	12
TP65H150G4PS datasheet Rev.3.00, 2025-11-25	Không có bảng R_G khuyến nghị cùng dạng. Điều kiện đo thời gian chuyển mạch là V_GS 0→12V, R_G = 70Ω, hạt 240Ω tại 100MHz, I_D = 10A. 70Ω là điều kiện đo, không phải giá trị thiết kế.	Đừng hàn mạng 30Ω của hai mã TO-247, và đừng coi 70Ω là điện trở khuyến nghị. Chốt R_G, hạt ferrite và snubber trên bench cùng application note của mã này.	8nC V_DS=400V, V_GS 0→10V, I_D=10A	TO-220, source tab, chân G-S-D	852

Hàng <100kHz chỉ nằm trong bảng mạch ngoài hard-switching của TP65H035G4WS. Đó không phải trần tần số của TP65H050G4WS hay TP65H150G4PS. Mạch nhanh hơn phải kiểm lại điện trở cổng và snubber.

Điện tích phục hồi ngược cũng không dùng chung. TP65H035G4WS ghi Q_RR typ 0nC tại I_S=32A, V_DD=400V, di/dt=1000A/µs, và chú thích không gồm Q_OSS. TP65H050G4WS ghi Q_RR typ 120nC tại I_S=22A, V_DD=400V. TP65H150G4PS mô tả reverse recovery là không đáng kể, không có hàng Q_RR cùng kiểu.

Tab là source, không phải drain

Mục đặt hàng ghi cấu hình vỏ là Source trên cả ba mã. TP65H035G4WS và TP65H050G4WS là TO-247 ba chân; TP65H150G4PS là TO-220. Thứ tự chân G-S-D, tab nối source. Tấm cách điện vẽ cho MOSFET silic tab-drain sẽ đổi đường về của cực cổng và chiều dài creepage. Đây là bước layout, không phải thay chân không cần đo.

Bảy mục trước khi khóa layout

Mức tắt. Driver đang tắt ở 0V, hay đang là nguồn âm của SiC? Giới hạn tuyệt đối ±20V. Đừng vận hành sát giới hạn đó.
Mức mở. R_DS(on) đo ở 10V. TP65H050G4WS ghi rõ (0V, 12V). Hai mã kia cũng đo thời gian chuyển mạch từ 0V lên 12V; riêng TP65H150G4PS không có bảng điện trở khuyến nghị.
Điện trở và hạt ferrite. Lấy từ đúng datasheet. Trên TP65H050G4WS, 30Ω khuyến nghị và 45Ω trong hàng đo thời gian là hai hàng khác nhau.
Hàng tần số của TP65H035G4WS. Bảng hard-switching ghi <100kHz. Trên mức đó phải đo lại mạng cổng.
70Ω của TP65H150G4PS. Chỉ là điều kiện đo. Không sao chép 30Ω từ TO-247.
Đỉnh khi tắt. Đọc điều kiện V_DSS(TR) của từng mã. TP65H035G4WS: 800V không lặp khi xung <30ms, 750V lặp khi xung <5µs. TP65H050G4WS: 800V còn đòi duty <0,01 và xung <30µs. TP65H150G4PS: 800V không lặp, xung <30µs. Không gộp thành một ngân sách 800V chung.
Hàng mẫu và phiên bản. PDF nằm trên trang sản phẩm. Lưu số revision, rồi liên hệ Jarwey để nhận hàng mẫu và lịch giao trước khi khóa BOM.

Datasheet và liên hệ

Jarwey · kerry.w@jarwey.cn · Liên hệ.