CETC Tier-1 Jarwey｜SiC 1200V: WM2HA020120L, WM2HA020120K khác chân, WM2HA240120N là 240mΩ

Jarwey 1 2026-10-14 15:50:26

Hậu tố trên MOSFET SiC 1200V là kiểu vỏ và mức điện trở dẫn, không phải ba cách đóng gói của cùng một viên. Trên datasheet Version 3.0 của Guiji Nanfang, WM2HA020120L và WM2HA020120K dùng chung bảng 20mΩ nhưng khác chân. WM2HA240120N là linh kiện 240mΩ, vỏ TO-263-7H, không phải bản dán của con 20mΩ.

Việc chọn thanh cái 650V hay 1200V đã có trong bài chia điện áp. Bài này chỉ xét sau khi thiết kế đã nằm ở MOSFET SiC G2 1200V.

Jarwey là nhà phân phối cấp 1 cho linh kiện công suất SiC của Guiji Nanfang, đơn vị thuộc Tập đoàn Điện tử Trung Quốc (Viện 55). CETC là dấu hiệu của tập đoàn. Guiji Nanfang là đơn vị trực thuộc.

Đọc điều kiện đo RDS(on) trước khi nhìn chữ cái cuối

MãVỏChân trên bản vẽRDS(on)ID / RθJCTrang
WM2HA020120LTO-247-41 Gate; 2 Driver Source; 3 Power Source; 4 Drain20mΩ điển hình, 27,4mΩ max
VGS=18V, ID=60A
30mΩ điển hình ở 175℃		100A ở 25℃, 79A ở 100℃ (VGS=18V)
RθJC 0,29℃/W điển hình		4
WM2HA020120KTO-247-31 Gate; 2 Drain; 3 SourceCùng hàng với L: 20mΩ điển hình, 27,4mΩ max
VGS=18V, ID=60A
30mΩ điển hình ở 175℃		100A ở 25℃, 79A ở 100℃ (VGS=18V)
RθJC 0,29℃/W điển hình		1024
WM2HA240120NTO-263-7H1 Gate; 2 Driver Source; 3 Source; 4 Drain; 5/6/7 Source240mΩ điển hình, 312mΩ max
VGS=18V, ID=5A
Hàng 15V/5A riêng: 295mΩ điển hình, 380mΩ max		12,8A ở 25℃, 9A ở 100℃ (VGS=18V)
RθJC 1,95℃/W điển hình		5

Cả ba là G2, VDS 1200V khi VGS=0V, ID=100μA. Điện áp cực cổng tuyệt đối là −10/+23V. Mức khuyến nghị là −5/+18V. QG điển hình của L và K là 217nC (800V, −5/18V, 32A). QG của N là 17,5nC (cùng biên độ cổng, dòng 5A). Ngưỡng ghi 2,0/2,8/4,0V, nhưng L và K đo ở 20mA, N đo ở 1,4mA.

L và K khớp bảng điện trở, lệch chân 2

Thông số giới hạn, điện trở dẫn, điện tích cổng và nhiệt trở mặt nối–vỏ của WM2HA020120L và WM2HA020120K trùng nhau trên Version 3.0. Bản vẽ thì không. Con bốn chân: chân 2 là Driver Source, đường về của vòng cổng; chân 3 là Power Source; chân 4 là Drain. Con ba chân: chân 2 là Drain. Dùng footprint của con này cho con kia sẽ đổi chỗ vòng cổng và vòng công suất.

Driver Source tách dòng cổng khỏi đường source công suất, để điện cảm nguồn chung ít làm méo sườn chuyển mạch. Không phải một pad source thêm để đổ đồng chung với Power Source sát thân vỏ. Datasheet không cho phép thay thế không kiểm chứng.

N không phải TO-263 của mức 20mΩ

Đoạn giữa mã WM2HA240120N là 240, không phải 020. Chỉ đọc 240mΩ điển hình / 312mΩ max tại VGS=18V và ID=5A. Ở 175℃ hàng đó là 360mΩ điển hình. Hàng VGS=15V, ID=5A (295mΩ điển hình, 380mΩ max) là điều kiện đo, không phải tính năng tắt 0V cho bộ điều khiển flyback. Ba con G2 này vẫn khuyến nghị tắt −5V, mở +18V. Dòng chữ 15V/0V thuộc MOSFET G3 vỏ TO-252, ví dụ WM3HA160065E, nằm ngoài bảng này.

Công suất tiêu tán của N là 78W, của L/K là 517W, cùng điều kiện vỏ 25℃ và mặt nối 175℃. Nhiệt trở 1,95℃/W so với 0,29℃/W. Vỏ bảy chân dán không mang theo dòng và tản nhiệt của cặp TO-247.

Bảy mục trước khi chốt layout

  1. Thanh cái đã ở mức 1200V. Bảng này không chọn 650V hay 900V.
  2. Công thức tổn hao cần 20mΩ tại 18V/60A, hoặc 240mΩ tại 18V/5A. Không đưa N vào công thức của L/K.
  3. Footprint TO-247 ba chân cần Drain ở chân 2. Đó là K, không phải L.
  4. Với L, vòng cổng về chân 2, dòng tải đi chân 3. Không nối Driver Source với Power Source bằng một vùng đồng sát vỏ.
  5. Với N: chân 4 là Drain, chân 2 là Driver Source, chân 3 và chân 5/6/7 là Source.
  6. Driver thiết kế cho −5/+18V và không vượt −10/+23V. Không chép rail 15V/0V từ MOSFET flyback G3.
  7. Khóa phiên bản datasheet, mẫu và tiến độ với Jarwey. Vỏ gần giống không phải thay thế không kiểm chứng.

Datasheet và trang sản phẩm

Có thể đặt mua đế wafer cùng thông số.

标签：
上一篇: Tier-1 Gree Xinyuan Jarwey｜CBB61 vs CBB65/CBB65S tụ quạt & máy nén
相关文章

热门标签