650V SiC 替代超结：行业在谈成本下探，落地仍看驱动门槛

资讯编辑 335 2026-08-21 09:20:14

行业快讯 · 来源：电子发烧友网（原文标题：超结 MOSFET 升级至 650V 碳化硅 MOSFET 的根本驱动力分析）

行业侧已有多篇文章讨论：在服务器电源、OBC、PFC 等场景，650V SiC MOSFET正加速替代硅超结（SJ / CoolMOS™ 类）。常见论据集中在三点——高温下 RDS(on) 更稳、开关与 Qrr 更优、以及国产 SiC 单价下探后器件成本接近甚至低于进口超结，再叠加散热与磁性件缩小带来的系统 BOM 空间。

文中同时提醒落地难点：不少 SiC 方案习惯 +18V 开通 / 负压关断，驱动与布局要重新评估。这对「想少改板就试 SiC」的电源项目仍是门槛。

原文：https://www.elecfans.com/d/6470178.html

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